氮化物半导体发光器件及其制造方法技术

一种氮化物半导体激光器件，其使用低缺陷密度的基板，在氮化物半导体膜内含有很小的应变，从而使其具有令人满意的长的使用寿命，在缺陷密度为１０＃＋［６］ｃｍ＃＋［－２］或更低的ＧａＮ基板（１０）上通过蚀刻形成条形凹陷部分（１６）。在该基板（１０）上生长氮化物半导体膜（１１），在远离凹陷部分（１６）上方的区域中形成激光条（１２）。使用这样的结构时，激光条（１２）中没有应变，半导体激光器件具有长的使用寿命。另外，氮化物半导体膜（１１）形成的裂隙很少，从而能够大幅提高产率。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。更具体地说，本专利技术涉及用氮化物半导体作为其基板的氮化物半导体发光器件。2、
技术介绍
已经制造的半导体激光器件的样机在从紫外线至可见光的区域内振荡，其使用的氮化物半导体材料的例子有GaN、AlN、InN及其复合晶体。为此目的，一般使用GaN基板，因此，大量研发机构对GaN基板进行了深入研究。但是，截至目前还没有能够满足长使用寿命的半导体激光器件，因此，对半导体激光器件最大的愿望是较长的使用寿命。众所周知，半导体激光器件的使用寿命从一开始就强烈地依赖于存在于GaN基板中的缺陷密度(如空位、填隙原子和错位，所有这些都会影响晶体的规则性)。目前的问题是，缺陷密度低的基板无论认为它们对得到长使用寿命如何有效，但是这样的基板极难得到，因此现在的研究都集中在如何尽可能降低缺陷密度上。例如，Applied Physics Letter，Vol.73 No.6(1998)，pp832-834报道了用下述方法制造GaN基板。首先利用MOCVD(金属有机化学气相沉积)在蓝宝石基板上生长2.0μm厚的GaN底层。然后在该底层上面形成具有规则条形开孔的0.1μm厚的SiO2掩膜图案。然本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物半导体激光器件，其包括：　　　　其中至少表面是氮化物半导体的基板；和　　　　层合在基板的该表面上且具有条形激光波导结构的氮化物半导体膜，　　　　其中，基板的该表面具有缺陷密度为１０↑［６］ｃｍ↑［－２］或更低的低缺陷区域和凹陷部分，氮化物半导体膜的激光波导结构位于离开基板的该表面的凹陷部分的所述低缺陷区域的上方。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：神川刚，山田英司，荒木正浩，金子佳加，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]