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一种氮化物半导体激光器件，其使用低缺陷密度的基板，在氮化物半导体膜内含有很小的应变，从而使其具有令人满意的长的使用寿命，在缺陷密度为１０＃＋［６］ｃｍ＃＋［－２］或更低的ＧａＮ基板（１０）上通过蚀刻形成条形凹陷部分（１６）。在该基板（１０）...
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