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本发明涉及一种使用干蚀刻在从ＧａＡｓ，ＧａＡｌＡｓ，ＩｎＧａＡｓＰ和ＩｎＧａＡｓ组成的组中选择出的一种材料上得到无污染表面，以在ＧａＡｓ基激光器任意结构上获得氮化物层的方法，以及根据该方法制造的ＧａＡｓ基激光器。用掩模遮蔽部分表面以防止发生...
该专利属于科姆雷斯股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过科姆雷斯股份公司授权不得商用。

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