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一种半导体发光器件，提供具有增强光辐射能力的大辐射表面。Ｎ型ＧａＮ层和Ｐ型ＧａＮ层叠置以在其间限定界面，通过给该界面施加电压而产生光。开发了其上生长ＧａＮ层的光波导，用于提供发射光的宽辐射表面。辐射表面形成有由第一介质和第二介质的阵列构成的...
该专利属于松下电工株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电工株式会社授权不得商用。

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