半导体激光器件制造技术

一种半导体激光器件具有ｎ型ＧａＡｓ衬底１支撑的依次形成的ｎ型ＡｌＧａＡｓ第一盖层２，多重量子阱有源层３和ｐ型ＡｌＧａＡｓ第二盖层４。多重量子阱有源层３具有两个量子阱层３ａ和设置在每一量子阱层３ａ两侧的垒层３ｂ。每一量子阱层３ａ由Ｉｎ＃－［１－Ｖ１］Ｇａ＃－［Ｖ１］Ａｓ＃－［１－Ｗ１］Ｐ＃－［Ｗ１］构成，每一垒层３ｂ由Ｉｎ＃－［１－Ｖ２］Ｇａ＃－［Ｖ２］Ａｓ＃－［１－Ｗ２］Ｐ＃－［Ｗ２］构成。这里，Ｖ１和Ｖ２满足Ｖ１＜Ｖ２，Ｗ１和Ｗ２满足Ｗ１＜Ｗ２。垒层相对于ＧａＡｓ衬底具有张应变，阱层相对于ＧａＡｓ衬底具有压应变。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体激光器件。
技术介绍
通常，作为连续输出发射波长780nm的等于或高于150mW功率的半导体激光器件具有如图7所示的结构。图7是半导体激光器件的端面图，显示了半导体激光器件的晶体层结构，其中层结构在与图纸表面垂直的方向上延伸。在图7中，显示了n型GaAs衬底1，n型AlxGa1-xAs第一盖层2，有源层43，p型AlxGa1-xAs第二盖层4，p型GaAs蚀刻停止层5，带状p型AlxGa1-xAs第三盖层6，形成带状凹槽部分的n型GaAs电流阻挡层7，p型GaAs接触层8，n侧电极11和p侧电极12。形成p型GaAs接触层8以致覆盖p型AlxGa1-xAs第三盖层6和n型GaAs电流阻挡层7。p型AlxGa1-xAs第三盖层6填充n型GaAs电流阻挡层7的带状凹槽部分。电流阻挡层7由形成在蚀刻停止层5上的n型AlxGa1-xAs第一掩埋层7a和形成在第一掩埋层7a上n型GaAs第二掩埋层7b构成。术语“带状”指在图纸表面的垂直方向上延伸的窄结构。注意，x值的范围是0＜x＜1。作为有源层43，采用具有所谓的多重量子阱结构的层。图8显示了多重量子阱结构的详图。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光器件，其具有由第一导电类型的ＧａＡｓ衬底支撑并依次形成的第一导电类型的第一盖层、有源层和第二导电类型的第二盖层，所述层中的每一层均由Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体构成，该有源层具有至少一个阱层和一些垒层，该垒层具有大于该阱层的能隙，该阱层被置于该垒层之间，其中 该阱层和垒层每层都包含作为Ⅴ族元素的Ｐ和Ａｓ及作为Ⅲ族元素的Ｇａ和Ｉｎ； 该垒层中的Ⅴ族元素中Ｐ的比例大于阱层中的Ⅴ族元素中Ｐ的比例； 该垒层中的Ⅲ族元素中Ｉｎ的比例小于阱层中的Ⅲ族元素中Ｉｎ的比例； 该垒层具有相对于ＧａＡｓ衬底的张应变； 该阱层具有相对于ＧａＡｓ衬底的压应变；以及 该半导体激光...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：河西秀典，山本圭，厚主文弘，藤城芳江，吉田智彦，
申请(专利权)人：夏普公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]