光半导体元件制造技术

在将导入了应力的量子阱层作为活性层的半导体激光器或电场吸收型调制器中，因为能带结构，特别是无法独立地调整△Ｅｃ与△Ｅｖ，所以在激光器特性或调制特性的最佳化上产生了瓶颈。在ｎ型ＩｎＰ晶片１上依次层叠ｎ型ＩｎＧａＡｌＡｓ－ＧＲＩＮ－ＳＣＨ层３、ＭＱＷ层４、ｐ型ＩｎＧａＡｌＡｓ－ＧＲＩＮ－ＳＣＨ层５、ｐ型ＩｎＡｌＡｓ电子阻止层６等，ＭＱＷ层４由ＩｎＧａＡｌＡｓ的应力阱层和由ＩｎＧａＡｌＡｓＳｂ构成的，具有和阱层符号相反的应力的阻挡层构成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置，特别涉及作为光纤的发送光源所使用的通信用半导体激光器、调制器，以及集成了这些的集成化光源。
技术介绍
由于世界范围内因特网的普及，光网络的数据传输量在逐年增加。对于如此的增大，作为光纤网络中的关键设备的半导体光源以及调制器、或者集成了这些的电吸收光源被要求具有更高的速度、低耗电等高性能。近年来，随着该高性能的要求，取代现有的InGaAsP类，将InGaAlAs类作为活性层的光学元件的开发方兴未艾。使用了InGaAlAs类的多量子阱(MQWMulti-quantum well)结构是比使用了InGaAsP类的结构更为理想的结构。即，如图4所示，量子阱层的阱层与阻挡层的传导带的不连续和价电子带一侧不连续的比例ΔEc∶ΔEv，InGaAsP-MQW为4∶6，与此对应，InGaAlAs-MQW为7∶3，所以InGaAlAs-MQW一方容易将有效质量小的电子关闭在量子阱层内，有效质量大的空穴容易在多量子阱结构内的各阱层均匀地分布。在图4中，15是InGaAlAs-MQW的阱层，16是InGaAlAs-MQW的阻挡层，17是InGaAsP-MQW的阱层，18是InG本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光半导体装置，其特征在于，具有：在ＩｎＰ半导体晶片上形成的具有第１导电类型的第１半导体层；在所述第１半导体层上所形成的多量子阱；和在所述多量子阱结构上所形成的具有与所述第１导电类型为不同导电类型的第２导电 类型的第２半导体层；所述多量子阱结构为：交互地层叠阱层与阻挡层，其中阱层由具有与所述ＩｎＰ半导体晶片不同的晶格常数（ｌａｔｔｉｃｅｃｏｎｓｔａｎｔ）的ＩｎＧａＡｌＡｓ构成，阻挡层由相对于所述ＩｎＰ半导体晶片以及所述ＩｎＧａＡｌＡ ｓ层，具有不同晶格常数的ＩｎＧａＡｌＡｓＳｂ构成；所述阱层相对于所述ＩｎＰ半...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：中原宏治，工藤真，田中滋久，白井正敬，
申请(专利权)人：株式会社日立制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]