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在将导入了应力的量子阱层作为活性层的半导体激光器或电场吸收型调制器中，因为能带结构，特别是无法独立地调整△Ｅｃ与△Ｅｖ，所以在激光器特性或调制特性的最佳化上产生了瓶颈。在ｎ型ＩｎＰ晶片１上依次层叠ｎ型ＩｎＧａＡｌＡｓ－ＧＲＩＮ－ＳＣＨ层３、...
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