氮化物半导体发光元件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种氮化物半导体发光元件及其制造方法。六方晶系结晶的粘合层设置在具有氮化物基Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体层的氮化物激光棒的光谐振器端面上，并且端面涂膜设置在粘合层上。这样，就得到了端面涂膜设置在粘合层上的结构。本发明专利技术增加了光谐振器端面和端面涂膜之间的粘合力，从而就不需要通过控制薄膜厚度来防止ｐｎ结短路和光吸收。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有氮化物基III-V族化合物半导体层和在光谐振器的端面上形成的端面涂膜的氮化物半导体发光元件。
技术介绍
近年来，在光盘领域人们在寻求不断提高容量，因此不断提高密度。相应地，已经制定出采用蓝色半导体激光器的BDs(蓝线盘，Blu-ray discs)和HD-DVDs(高分辨率DVDs)的标准，也已经研制出来应用于此的例如解码器这样的产品。因此，人们对可以写数据到具有高密度(针对双层光盘而言)以及高速度的新颖光盘上的可靠高输出蓝色半导体激光器有了需求。在传统的从CDs或DVDs读数据或者向CD或DVD写数据的铝镓砷(AlGaAs-)基或铟镓铝磷(InGaAlP-)基的半导体激光器中，光谐振器端面涂有如SiO2，Si3N4或Al2O3等电介质膜，以防止端面退化或受光学损害。当把这个方法用于蓝色半导体激光器时，可以观察到此时的驱动电流会突然升高，这就是人们寻求改进的涂镀技术的原因所在。日本专利申请公开第2002-335053号提出，光谐振器端面退化的原因之一是在光谐振器端面和端面涂膜之间的粘覆性差，因此提出了一种用某种金属粘合层放在光谐振器端面和端面涂膜之间以在光谐振器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物半导体发光元件，包括：氮化物基Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体层；形成在该氮化物基Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体层中的光谐振器；和形成在该光谐振器端面的端面涂膜；其中，六方晶系结晶的粘合层形成在该光谐振器的该端面和该端面涂膜之间。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：近藤雅文，神川刚，川口佳伸，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[]