氮化物半导体元件制造技术

本发明专利技术提供一种半导体元件，含有具有量子阱结构的活性层，该活性层含有阱层和阻挡层并且由第一导电型层与第二导电型层夹持，其特征在于，在所述活性层内至少夹持一层阱层，在所述第一导电型层侧设置第一阻挡层，在所述第二导电型层侧设置第二阻挡层，同时，第二阻挡层的带隙能量小于第一阻挡层，阻挡层为非对称。更优选通过在第二到导电型层内设置带隙能量大于第一阻挡层的载流子束缚层，在夹持活性层的各导电型层上设置与活性层的非对称结构相反的频带结构。由此，在所得的半导体元件、尤其是利用氮化物半导体的发光元件、激光元件中，可以实现在３８０ｎｍ或以下波长区域内发光效率优良的活性层以及元件结构。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体元件、发光元件，尤其是涉及利用将由氮化物半导体构成的量子阱层作为活性层的氮化物半导体的发光元件。
技术介绍
若要提供白色LED来取代水银灯或是根据光刻法的精确度，则需要提供发出较短波长(例如375nm或以下)的LED和振荡波长的LD的发光元件。在另外一面，作为GaN系发光元件，从将InGaN作为活性层的发光元件的发光效率良好的观点来看，现在多使用将很多的InGaN作为活性层的发光元件，在将该InGaN作为活性层的发光元件中，为了实现所述短波长的发光，则必须降低其中In的组成比。不过，当In的组成比变低，InGaN不有效地发光，临界电流增加，其结果出现在激光振荡波长未超过380nm时临界值显著上升的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于找出造成在激光振荡波长未超过380nm时临界值显著上升的原因，并且提供其解决的方法。另外，当元件内使用含有AlGaN等的Al的氮化物半导体时，则其热膨胀系数差、以及弹性与不含Al的氮化物半导体相比有很大不同。若使用含有Al的氮化物半导体，则容易发生元件破裂，而破裂的发生，与其它的结晶性不同，导致元件破裂。因此，除非避免发生破裂本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体元件，具有井层和阻挡层的量子阱结构的活性层，被第一导电型层和第二导电型层夹持，其特征在于，在所述活性层内至少夹持一层阱层，在所述第一导电型层侧设置第一阻挡层、在所述第二导电型层侧设置第二阻挡层，同时第二阻挡层的带隙能量小于第一阻挡层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：柳本友弥，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]