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本发明提供一种半导体元件，含有具有量子阱结构的活性层，该活性层含有阱层和阻挡层并且由第一导电型层与第二导电型层夹持，其特征在于，在所述活性层内至少夹持一层阱层，在所述第一导电型层侧设置第一阻挡层，在所述第二导电型层侧设置第二阻挡层，同时，第...
该专利属于日亚化学工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日亚化学工业株式会社授权不得商用。

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