半导体激光器和其制造方法技术

一种半导体激光器，在基板（１１）上顺序层叠ｎ型半导体层（１３）、活性层（１０１）和ｐ型半导体层（２４），所述活性层（１０１）包含由ＩｎＧａＮ所构成的阱层，在活性层（１０１）和ｐ型半导体层（２４）之间，形成实质上不掺杂杂质的由氮化镓系列化合物半导体所构成的中间层（２１）。利用该半导体激光器，可实现高的光输出动作下的长寿命。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
近些年来，作为下一代的高密度光盘用光源，对于发出蓝紫光的激光二极管的希望变高，特别是，对在从蓝紫光到紫外光的短波长区域能动作的氮化镓(GaN)系列的III-V族化合物半导体发光元件的研究开发逐渐盛行。此外，这种光盘装置作为刻录部件，希望高密度、高速记录用，所以需要高光输出的高可靠性的GaN系列半导体激光器。最近，为了GaN系列激光器的长寿命化，采用这种方法，在蓝宝石基板上成长的GaN系列半导体膜上部分堆积二氧化硅(SiO2)等绝缘膜，在该绝缘膜上选择生长GaN系列半导体降低位错密度(dislocation density)。关于这种选择成长，具有第一文献“IEEE Journalof Selected Topics in Quantum Electronics，Vol.4(1998)483-489”。如按第一文献，表示了在GaN的<1-100>方向周期地形成直线间隔状的SiO2膜，将在SiO2上横向(ELOEpitaxial Lateral Overgrowth)成长的GaN膜变平坦，一边能够用为低位错基板。作为将该EL本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光器，其特征为，在基板上顺序层叠ｎ型半导体层、活性层和ｐ型半导体层，所述活性层包含由ＩｎＧａＮ所构成的阱层，在所述活性层和所述ｐ型半导体层之间，形成有实质上不掺杂杂质的由氮化镓系列化合物半导体所构成的中间 层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：长谷川义晃，横川俊哉，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]