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一种半导体激光器件具有ｎ型ＧａＡｓ衬底１支撑的依次形成的ｎ型ＡｌＧａＡｓ第一盖层２，多重量子阱有源层３和ｐ型ＡｌＧａＡｓ第二盖层４。多重量子阱有源层３具有两个量子阱层３ａ和设置在每一量子阱层３ａ两侧的垒层３ｂ。每一量子阱层３ａ由Ｉｎ＃－［１...
该专利属于夏普公司所有，仅供学习研究参考，未经过夏普公司授权不得商用。

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