氮化物半导体器件制造技术

一种氮化物半导体器件，具有较高的电极接触性能。该氮化物半导体器件包括由Ⅲ族类氮化物半导体制成的半导体层、及用于向该半导体层提供载流子的金属电极。该器件具有第一接触层，由Ⅲ族类氮化物半导体（Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］）↓［１－ｙ］Ｉｎ↓［ｙ］Ｎ（０≤ｘ≤１，０＜ｙ≤１）和加入到其中的Ⅱ族类元素制成，它层叠于在该半导体层和该金属电极之间；该器件还具有第二接触层，由Ⅲ族类氮化物半导体Ａｌ↓［ｘ’］Ｇａ↓［１－ｘ’］Ｎ（０≤ｘ’≤１）制成，并被层叠于该第一接触层和该金属电极之间。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种III族类氮化物半导体器件，更具体地说，是涉及在III族类氮化物半导体器件的半导体和金属电极之间的电接触性能的一种改进。本领域技术人员都知道，在p型半导体/金属边界上的电荷迁移基本上依赖于该半导体的价带和该金属的费米能级之间的能量差。依赖该能量差，形成欧姆接触或肖特基接触。目前，尚没有为p型氮化物半导体充分减小肖特基势垒的金属，通过简单地选择最佳电极金属并不能获得该接触性能的进一步改善。为了改善电极和半导体之间的电接触性能，常规的方法是采用具有小带隙的半导体层作为与金属的接触层。在公开号为平成10-65216的日本专利中公开了一种试图降低与电极的接触电阻的方案，该方案是通过采用包括铟并具有小带隙的氮化物半导体作为与电极的接触层。在一种用于改善接触性能的常见方法中，采用具有高载流子浓度的半导体层用于与金属的接触层。然而众所周知的是，当带隙较大时，上述方法难以获得高载流子密度。AlGaN基氮化物也具有较大的带隙，特别是对于p型氮化物，难以获得高载流子密度。现在已知的是，当InN摩尔分数在InGaN中增大时，获得较高的空穴浓度(Jpn.J.Appl，Phys.39(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物半导体器件，包括由Ⅲ族类氮化物半导体制成的半导体层和用于向该半导体层提供载流子的金属电极，所述器件包括：第一接触层，由Ⅲ族类氮化物半导体（Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］）↓［１－ｙ］Ｉｎ↓［ｙ］Ｎ（０≤ｘ≤１，０＜ｙ≤１）制成， 它沉积在所述半导体层和所述金属电极之间，并具有被加入到所述Ⅲ族类氮化物半导体的Ⅱ族类元素；及第二接触层，由Ⅲ族类氮化物半导体Ａｌ↓［ｘ’］Ｇａ↓［１－ｘ’］Ｎ（０≤ｘ’≤１）制成，并被沉积在所述第一接触层和所述金属电极之间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥宏和，太田启之，渡边温，
申请(专利权)人：先锋株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]