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一种氮化物半导体器件，具有较高的电极接触性能。该氮化物半导体器件包括由Ⅲ族类氮化物半导体制成的半导体层、及用于向该半导体层提供载流子的金属电极。该器件具有第一接触层，由Ⅲ族类氮化物半导体（Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］）↓［１－ｙ］Ｉｎ↓［ｙ...
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