【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种能够发射蓝到紫外线波段光的氮化物半导体光发射装置，特别涉及一种使用Si衬底的氮化物半导体光发射装置的结构。
技术介绍
现有技术中，已知一种氮化物半导体光发射装置可以用作发蓝色光的装置。近来，业已研究了发蓝色光二极管和紫色的半导体激光。图11示出在日本专利公报No.2001-7359中公开的氮化物半导体光发射装置的结构示意图。这种氮化物半导体光发射装置具有这样的顺序叠层的结构，即，硅衬底100、n型氮化物半导体的下覆层200、p型氮化物半导体的发光层300和上覆层400，在上覆层400上形成p型欧姆电极500，在Si衬底100上形成n型的欧姆电极600。考虑在日本专利公报No.2001-7395中公开的氮化物半导体结构，其中n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层连续地层叠在Si衬底上。当形成阻流结构或限流结构以提高在光发射装置中的发光效率时，必须在掺杂Mg(镁)的薄的具有高电阻的p型的氮化物半导体层上形成绝缘膜或电流阻塞膜。因此，现有技术的情况是，当绝缘膜或电流阻塞膜形成时损坏了P型氮化物半导体层，导致在p型氮化物半导体层中产生了结晶缺陷，所述...
【技术保护点】
一种氮化物半导体光发射装置，该装置包括：在硅衬底上从硅衬底起按顺序依次重叠的ｐ型氮化物半导体层、发光层和ｎ型氮化物半导体层，其中Ｓｉ衬底被部分地去掉，暴露出ｐ型氮化物半导体层的一部分，在ｐ型氮化物半导体层的暴露的区域上形成ｐ型电极。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：幡俊雄，笔田麻佑子，木村大觉，
申请(专利权)人：夏普公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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