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一种光发射装置，该装置包括在Ｓｉ衬底上从Ｓｉ衬底起按顺序依次重叠的ｐ型氮化物半导体层、发光层和ｎ型氮化物半导体层。部分地除去所述Ｓｉ衬底，以露出ｐ型氮化物半导体层的一部分。在ｐ型氮化物半导体层露出的区域上形成ｐ型电极。...
该专利属于夏普公司所有，仅供学习研究参考，未经过夏普公司授权不得商用。

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