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国联光电科技股份有限公司专利技术
国联光电科技股份有限公司共有17项专利
具粗化界面发光元件及其制作方法技术
一种具粗化界面发光元件及其制作方法。为提供一种提高发光元件汲光效率、便于发光元件品质管理的发光元件及其制造方法,提出本发明,其制作方法包括堆叠磊晶层及形成光阻层的制作基体、形成电极、以两道同调光束重叠形成干涉条纹投射于光阻层的曝光、在光...
发光二极管结构及其制造方法技术
一种发光二极体的结构及其制造方法,运用高反射率的布拉格反射结构来增加发光二极体的亮度,以避免发出的光被基板吸收掉。是在垂直堆叠的发光二极体晶粒结构中的基板上方提供高铝含量砷化铝镓/磷化铝镓铟层或高铝含量砷化铝镓/低铝含量砷化铝镓层来形成...
发光二极管的制造方法技术
一种发光二极管及其制造方法,包括提供发光二极管磊晶片,磊晶片上设有多层砷化铝镓磊晶层形成的发光二极管结构成长在吸光基板上;通过软质的透明粘接层将透明基板与发光二极管磊晶层表面接合在一起。具有大幅提高发光二极管的发光效率的功效。
高亮度发光二极管制造技术
一种高亮度发光二极管包含具有一导电性的半导体基片,一具有第一导电性的下限制层,一不掺杂质的磷化铝镓铟工作层或多重量子阱结构,以及带第二导电性的上限制层结构。此上限制层结构包含四元素半导体材料磷化铝镓铟(Al↓[x]Ga↓[1-x])In...
制作发光二极管外延晶片的方法技术
一种在一基底上制作一低电阻系数P型化合物半导体材料的方法,包括利用HVPE、OMVPE或MBE工艺,在该基底上形成一P形掺杂化合物半导体层;以及对该P型掺杂化合物半导体层进行一微波处理。该方法可以将高电阻系数的P型化合物的半导体材料转变...
高亮度发光装置制造方法及图纸
一种发光装置包括基底、发光层、电流限制层、电流散布层、定义一暴露区域的介电层、顶欧姆接触金属层、以及位于基底以下的底欧姆欧接触金属层。电流散布层具有粗糙的顶表面;电流限制层包括允许电流流通的传导层、以及位于传导层外侧的绝缘层;绝缘层禁止...
制造高亮度发光二极管的方法技术
一种利用玻璃贴合制造高亮度发光二极体的方法,首先,提供砷化镓化合物基材,接着依序形成蚀刻终止层、第一型欧姆接触层、双异接面结构及第二型欧姆接触层,随后贴合玻璃等透明介电材料,于第二型欧姆接触层上,再移除砷化镓化合物基材,最后蚀刻第一型披...
Ⅲ族氮化物半导体发光组件的切割方法技术
一种Ⅲ族氮化物半导体发光组件的切割方法,其以放电蚀刻方式进行发光二极管组件的晶粒切割剥离的辅助技术,该方法有别于一般使用钻石刀及点划线的切割方式,具有有效的缩短切割工时、改善晶粒剥离的优良率及外观形状,以及降低切割所造成的钻石刀损耗成本...
发光二极管及其制造方法技术
一种发光二极体及其制造方法,其藉由一粘接层将发光二极体磊晶层与不会吸光的透明基板相结合,并把发光二极体基板移除至第一导电型蚀刻终止层,以形成第一欧姆接触金属电极层,同时部分蚀刻至第二导电型磊晶层,形成第二欧姆接触金属电极层,且第一欧姆接...
发光二极管及其制造方法技术
本发明是采用一种不吸光的透明黏接层,来黏结具有吸光基板(AbsorptionSubstrate,AS)的发光二极管磊芯片及透明基板(TransparentSubstrate,TS)。接着将吸光的基板除去,形成具有透明基板的发光二极管...
具有透明基板倒装式发光二极管芯片的高亮度发光二极体制造技术
一种高亮度发光二极体,包括:一底座基板,一具有透明基板的覆晶式发光二极体晶粒,一覆盖基板。该覆盖基板中央区域具有一孔,其是用倾斜侧壁围成。该覆晶式发光二极体晶粒容置于该中央区域的孔中。该底座基板以一中置绝缘区域分隔为两部分,其分别与该发...
发光二极管的结构及其制造方法技术
本发明提供一种发光二极管的结构及其制造方法,该发光二极管具有镜面反射层,其镜面反射层为由一透明导体氧化层和一高反射金属层所构成的复合反射层,透明导电型氧化层可允许绝大多数的光通过然后再被反射金属层反射回来。透明导电型氧化层可以选取和高反...
半导体发光元件制造技术
本发明揭露一种半导体发光元件,其包含有一基板,一覆盖该基板第一表面的N型电极,一覆盖该基板第二表面的作用层,一覆盖该作用层的P型半导体层,一覆盖该P型半导体层的反射层,以及一覆盖该反射层的P型电极。其中,该反射层为一具有高反射效率的金属...
一种发光二极管制造技术
本发明是提供一种改善亮度的发光二极管,使发光二极管的上电极所产生的电流分布均匀进而增加活性层发光效率。首先在一个基板上形成活性层,接着,形成一个透光层于活性层之上增加电流的分散。其背电极位于基板的另一面,而上电极位于它的上方。本发明的重...
半导体化合物发光二极管组件及其制造方法技术
一种发光二极管的结构及其制造方法,包含在蓝宝石基板上依次形成n型氮化镓化合物电极层、氮化镓基活化层、p型氮化镓基化合物层、铟金属层及透明导体氧化层。其中,透明导体氧化层、铟金属层、p型氮化镓基化合物层、氮化镓基活化层及部分的n型氮化镓化...
半导体发光组件及其制造方法技术
一种半导体发光组件及其制造方法。所述半导体发光组件至少包括位于具有凹凸不平表面的半导体层上的光散射偏折层。由于,光从光散射偏折层进入半导体层时,因折射率的不同会造成光的偏折,再加上光进入半导体层的凹凸不平的表面会形成散射。这样一来,可使...
发光二极管及其制造方法技术
一种发光二极管及其制造方法。本发明的发光二极管及其制造方法特征在于,发光二极管的结构中具有外延结构、反射层、以及传导层等组件,其中外延结构与传导层可利用反射层本身,或额外的透明导热胶粘合;反射层用来使外延结构所发出的光可更有效率地反射;...
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