高亮度发光二极管制造技术

一种高亮度发光二极管包含具有一导电性的半导体基片，一具有第一导电性的下限制层，一不掺杂质的磷化铝镓铟工作层或多重量子阱结构，以及带第二导电性的上限制层结构。此上限制层结构包含四元素半导体材料磷化铝镓铟（Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］）Ｉｎ↓［１－ｙ］Ｐ在此结构中加入了一层薄而具有高电阻的材料，以改良发光二极管的亮度。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种发光二极管，特别是指一种磷化铝镓铟组成的高亮度发光二极管。磷化铝镓铟(AlxGa1-x)yIn1-yP四元素化合物是一晶格常数与一砷化镓(GaAs)基片相匹配的直接能带隙半导体。这种化合物在波长560nm至650nm之间的发光合效率非常高，因此非常适合用来制造发光波长从红色到黄绿色光的发光二极管。图1表示一常用的磷化铝镓铟发光二极管的剖面示意图，这种二极管有一n型砷化镓基片100，一n型磷化铝镓铟下限制层101，一不掺杂质的磷化铝镓铟工作层102，以及一P型的磷化铝镓铟上限制层103。由于P型的磷化铝镓铟掺入杂质浓度难以提高，此一上限制层的电阻也因而甚高，使得在由面金属导电极注入的电流无法扩散至晶粒边缘。所以在上电极下方工作层所发出的光大都被不透明的电极吸收掉了，这种发光二极管的发光强度也因此都不高。为了促进电流的扩散，美国第5,008,718号专利采用了一种高能带隙的磷化镓透明窗层，利用此窗层的低电阻来使电流能均匀地流散入工作层。虽然这种窗层含有高杂质的P型磷化镓材料，但由于电洞的移动率低，因此电阻值大约只比上限制层小一级次，所以此窗层的厚度必须相当厚，才足本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高亮度发光二极管，其特征在于它包含： 一带导电性的半导体基片； 一形成于该基片上带第一导电性的磷化铝镓铟下限制层； 一形成于该下限制层之上，不掺杂质的磷化铝镓铟工作层；以及 一上限制层结构，包含： 成长在所述工作层上，晶格常数与所述基片匹配的第一层带第二导电性的磷化铝镓铟层； 成长在所述第一层带第二导电性的磷化铝镓铟层之上，具有相当小的厚度以及低杂质浓度和高电阻的第二层导电性的磷化铝镓铟层； 成长在上述第二层带第二导电性的磷化铝镓铟层之上，含（Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］）↓［ｙ］Ｉｎ↓［１－ｙ］Ｐ并带第二导电性的高能带隙高导电性磷化铝镓铟层，其中...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种高亮度发光二极管，其特征在于它包含一带导电性的半导体基片；一形成于该基片上带第一导电性的磷化铝镓铟下限制层；一形成于该下限制层之上，不掺杂质的磷化铝镓铟工作层；以及一上限制层结构，包含成长在所述工作层上，晶格常数与所述基片匹配的第一层带第二导电性的磷化铝镓铟层；成长在所述第一层带第二导电性的磷化铝镓铟层之上，具有相当小的厚度以及低杂质浓度和高电阻的第二层导电性的磷化铝镓铟层；成长在上述第二层带第二导电性的磷化铝镓铟层之上，含(A1xGa1-x)yIn1-yP并带第二导电性的高能带隙高导电性磷化铝镓铟层，其中0≤x≤0.1而0.7≤y≤1。2.根据权利要求1所述的高亮度发光二极管，其特征在于所述半导体基片含有砷化镓。3.根据权利要求1所述的高亮度发光二极管，其特征在于所述第二带第二导电性的磷化铝镓铟包含(AlsGa1-s)tIn1-tP半导体材料，而0.7≤s≤1以及0.9≤t≤1。4.根据权利要求1所述的高亮度发光二极管，其特征在于所述第二层带第二导电性性的磷化铝镓铟包含(AlGa)InP的超晶格结构。5.根据权利要求1所述的高亮度发光二极管，其特征在于所述第二层带第二导电性的磷化铝镓铟包含一有渐变组成的(AlGa)InP。6.根据权利要求1所述的高亮度发光二极管，其特征在于所述第二层带第二导电性的磷化铝镓铟的厚度是从0.005μm至0.1μm。7.一种高亮度发光二极管，其特征在于它包含一带导电...

【专利技术属性】
技术研发人员：张盼梓，陈泽澎，杜全成，
申请(专利权)人：国联光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]