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一种高亮度发光二极管包含具有一导电性的半导体基片，一具有第一导电性的下限制层，一不掺杂质的磷化铝镓铟工作层或多重量子阱结构，以及带第二导电性的上限制层结构。此上限制层结构包含四元素半导体材料磷化铝镓铟（Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］）Ｉｎ↓［...
该专利属于国联光电科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过国联光电科技股份有限公司授权不得商用。

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