半导体发光二极管制造技术

半导体发光二极管（１０）被形成在ｎ型ＧａＡｓ基片上并包含：ＡｌＧａＩｎＰ基双异质结结构，其中激活层（１６）被夹在镀层（１４，１８）之间；上Ｐ型接触层２０；环形上电极（２２）有孔（２８），光是通过上ｐ型接触层（２０）和上电极（２２）的孔（２８）发射。上ｐ型接触层（２０）是由含有０．５或更高Ａｌ含量的ＡｌＧａＡｓ或ＡｌＧａＡｓＰ构成的半导体层，并且在５×１０↑［１８］ｃｍ↑［－３］或更高载流子浓度掺杂杂质。该半导体发光二极管以要求的发射图形和较高强度发射光并能以相对简单工艺制造。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及构造在n-型GaAs基片上的半导体发光二极管，用于发射可见光，尤其是具有由ALGaInP基材料构成的双异质结结构的高强度半导体可见发光二极管。随着信息处理技术的发展，半导体光发射设备有逐渐地增大的要求以用于光学通信、光学记录媒介以及图像显示的光源。特别是，尤其需要更高的强度的可见发光二极管(以下，发光二极管将被缩写为LED)用于发展作为图像显示的有效的光源。与GaAs(砷化稼)基片相配的AlGaInP(铝镓磷化铟)的混合晶体半导体晶格，由于它能够形成优秀的异质结和适于获得高亮度LED，所以近年来是广泛地使用作为形成能够显示从红到绿的可见色彩的高亮度LED的材料。为获得高亮度发光二极管，它必需从其中规定的有限的区域产生光。常规的AlGalnP基发光二极管，不考虑他们的用于从规定的限制区域引导光的各种系统，基于接触层基本上被概略地分类成二种类型。一个例子是有显示在图5中的形状的接触层的发光二极管。图5(a)是常规的AlGaInP基LED的结构的示意图，图5(b)是在图5(a)中所示的传统LED的发射图形的示意图。显示在图5中的常规的LED 50包括在n型GaAs基片5本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光二极管，其形成在ｎ－型ＧａＡｓ基片上的，并包括具有夹在镀层之间的激活层的ＡｌＧａＩｎＰ基双异质结结构，以及具有一孔并形成在具有一插入的ｐ型接触层的所述双异质结结构上的一ｐ侧电极，其特征在于：所述ｐ型接触层被作为一半导体层形 成，该半导体层是以有０．５或更多的Ａｌ含量的ＡｌＧａＡｓ或ＡｌＧａＡｓＰ为材料制作并以５×１０↑［１８］ｃｍ↑［－３］或更多的载流子浓度掺杂ｐ型杂质；以及通过所述ｐ型接触层和所述ｐ侧电极的孔发射光。

【技术特征摘要】
JP 1998-2-13 30721/19981.一种半导体发光二极管，其形成在n-型GaAs基片上的，并包括具有夹在镀层之间的激活层的AlGaInP基双异质结结构，以及具有一孔并形成在具有一插入的p型接触层的所述双异质结结构上的一p侧电极，其特征在于所述p型接触层被作为一半导体层形成，该半导体层是以有0.5或更多的Al含量的AlGaAs或AlGaAsP为材料制作并以5×1018cm-3或更多的载流子浓度掺杂p型杂质；以及通过所述p型接触层和所述p侧电极的孔...

【专利技术属性】
技术研发人员：石川卓哉，荒川智志，向原智一，柏川秋彦，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]