标准封装的高可靠性的耐用Ⅲ族元素发光二极管制造技术

公开了一种实际上耐用的发光二极管，它在标准封装中具有高可靠性，并能承受高温高湿条件。二极管包括Ⅲ族元素氮化物异质结二极管，具有ｐ型Ⅲ族元素氮化物接触层，至ｐ型接触层的欧姆接触，和在欧姆接触上的钝化层。二极管的特征是，在８５％的相对湿度和８５℃的温度环境中在１０毫安的电流经至少１０００小时后它将发射其原始光能的至少５０％，工作电压保持基本不变。还公开了封装有二极管的ＬＥＤ灯。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及发光二极管，特别涉及标准封装应用中的由III族元素的氮化物构成的发光二极管。发光二极管是把电能转换成光发射的p-n结器件。特别是，在适当的正偏压条件下，在电磁光谱的紫外光区，可见光区和红外光区中LED的外自发发射。正如对电磁光谱中的可见光和近可见光区及其特性所公知的，光的波长越短(如兰光和紫外光)则表示其频率越高，能量转换越高，光的波长越长(如红光和红外光)表示频率越低，能量转换越低。因此，就发光二极管而言，在它们发射的特定光谱区，即，它们的颜色，取决于产生发射的转换能。因此，转换能确定具体材料的禁带大小范围。因此，为了使发光二极管在光谱的兰光或紫外光区发射，要求半导体材料的禁带要足够大(足够宽)，以维持有充分的能量转换，而发兰光或紫外光。而且，光谱的兰光区和紫外光区中的发光二极管所选用的材料只限于有宽禁带的某些材料，例如，钻石，碳化硅(SiC)和III族元素的氮化物。例如，由元素周期表的III族元素构成的二元，三元和四元氮化物，例如氮化镓(GaN)，氮化铟镓(InGaN)，和氮化铝镓(AlGaN)。兰色发光二极管最近的开发工作主要集中在III族元素的氮化物，因为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高可靠的发光二极管，它能承受高温和高湿条件，所述二极管包括： 碳化硅衬底； 在所述衬底上的缓冲器结构； 具有在所述缓冲器结构上的ｐ型Ⅲ族元素氮化物接触层的Ⅲ族元素氮化物异质结二极管； 与所述衬底的欧姆接触； 至所述ｐ型接触层的铂欧姆接触；和 在所述铂欧姆接触上的氮化硅钝化层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 1997-8-29 08/920,4091.一种高可靠的发光二极管，它能承受高温和高温条件，所述二极管包括碳化硅衬底；在所述衬底上的缓冲器结构；具有在所述缓冲器结构上的p型III族元素氮化物接触层的III族元素氮化物异质结二极管；与所述衬底的欧姆接触；至所述p型接触层的铂欧姆接触；和在所述铂欧姆接触上的氮化硅钝化层。2.按权利要求1的高可靠的发光二极管，其中，所述二极管包括单个异质结二极管。3.按权利要求1的高可靠的发光二极管，其中，所述二极管包括双异质结二极管。4.按权利要求1的高可靠的发光二极管，其中，所述接触层包括氮化镓。5.按权利要求1的高可靠的发光二极管，其中，所述欧姆接触覆盖所述p型接触层的主要部分以促进电流在所述p型接触层上散布。6.按权利要求1的高可靠的发光二极管，其中，所述欧姆接触很薄足以成半透明状态。7.按权利要求1的高可靠的发光二极管，其中，所述欧姆接触是选自铂，钯，金，钛和金的组合物，铂和金的组合物，钛、铂和金的组合物和铂和铟锡氧化物的组合物构成的组中。8.按权利要求1的高可靠的发光二极管，其中，所述欧姆接触包括铂，所述钝化层包括氮化硅。9.一种象素，包括按权利要求1的发光二极管，它在可见光谱的兰光区发光。红色发光二极管，和绿色发...

【专利技术属性】
技术研发人员：小戴维B斯莱特，杰拉尔德H尼格莱，约翰亚当埃德蒙，
申请(专利权)人：克里公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]