可提高发光亮度的发光二极管及其制作方法技术

公开了一种可提高发光亮度的发光二极管及其制作方法，尤指一种适用在以砷化镓为基板的直接能带间隙型态合金三五化合物的ＬＥＤ，其主要是利用晶片粘合技术及化学蚀刻或机械抛光方式在完成ＬＥＤ磊晶层粘合于一导电基板后，即可剥离移除砷化镓基板，并以此导电基板来取代砷化镓基板的功能，如此当发光二极管的ＰＮ结四方发射光源时，其射向导电基板的光源将通过一粘合反射层的反射作用而可再发射至发光二极管磊晶层其它区域以透射出去。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及发光二极管及其制作方法，特别是涉及一种。发光二极管(LED；Light-Emitting Diode)由于具备有寿命长、体积小、发热量低、耗电量小、反应速度快及单色光发光的特性及优点，所以自1960年起发展至今，不管在电脑外设、时钟显示器、仪器仪表上、或在通讯业、资讯业及消费类电子产品上被大量使用。尤其是近几年来，由于高亮度发光二极管技术的开发，LED的应用已从室内走向户外，如户外广告显示板、交通信号灯、道路信息显示幕(VMS)等都得以应用。但LED应用在户外时，必须具有高亮度。对此世界各国都在LED材料上研究，寻找高亮度发光二极管的新材料，如台湾专利公告第291610号“高亮度发光二极管及其制作方法”、第232753号“高亮度发光二极管的制作”、第275970号“增进亮度、方向性的发光二极管”等。发光二极管(LED)，尤其是可见光发光二极管，其结构型态可因其选用材质能带间隙及欲发射可见光颜色的不同，而有基本不同材质的基板，如附图说明图1及图2所示。其中图1中常用在LED磊晶层14，为直接能带间隙型态的合金三五化合物(direct-bandgap LEDs；GaA本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可提高发光亮度的发光二极管，其特征在于包含有：一具有一ＰＮ结的发光二极管磊晶层；一粘合反射层，连设在该发光二极管磊晶层的底层，可将来自发光二极管磊晶层的入射光进行反射作用再透射出该发光二极管磊晶层；一具高导电性质的导电基板， 形成在该粘合反射层底层；一形成在该导电基板底层的背面电极；及一形成在该发光二极管磊晶层顶层的正面电极，可与该背面电极间产生电流通路。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种可提高发光亮度的发光二极管，其特征在于包含有一具有一PN结的发光二极管磊晶层；一粘合反射层，连设在该发光二极管磊晶层的底层，可将来自发光二板管磊晶层的入射光进行反射作用再透射出该发光二极管磊晶层；一具高导电性质的导电基板，形成在该粘合反射层底层；一形成在该导电基板底层的背面电极；及一形成在该发光二极管磊晶层顶层的正面电极，可与该背面电极间产生电流通路。2.如权利要求1所述的可提高发光亮度的发光二极管，其特征在于其中该发光二极管磊晶层为一直接能带间隙型态的合金三五化合物。3.如权利要求1所述的可提高发光亮度的发光二极管，其特征在于其中该正面电极是由一透明材质制成的透明电极，可使来自发光二极管磊晶层的发射光线透射出去。4.如权利要求3所述的可提高发光亮度的发光二极管，其特征在于其中该透明电极可选择氧化锌、氧化铟、氧化锡、及氧化铟锡的其中之一制成。5.如权利要求1所述的可提高发光亮度的发光二极管，其特征在于其中该发光二极管磊晶层及正面电极之间还存在有一砷化镓基板。6.如权利要求5所述的可提高发光亮度的发光二极管，其特征在于其中该砷化镓基板及正面电极的面积小于该发光二极管磊晶层。7.如权利要求1所述的可提高发光亮度的发光二极管，其特征在于其中该粘合反射层包括有一粘合层及一反射层，通过晶片粘合方式致使两者相互贴合。8.如权利要求7所述的可提高发光亮度的发光二极管，其特征在于其中该粘合层与反射层为具导电特性的不同材质制成。9.如权利要求7所述的可提高发光亮度的发光二极管，其特征在于其中该粘合层与反射层为具导电特性的相同材质制成。10.如权利要求1所述的可提高发光亮度的发光二极管，其特征在于其中该导电基板亦可与该背面电极合而为一。11.一种可提高发光亮度的发光二极管的制作方法，其特征在于包括有下列步骤(1)在一砷化镓基板上形成一具有一PN结的发光二极管磊晶层；(2)在发光二极管磊晶层未与该砷化镓基板连接界面的顶层形成一具导电性的反射层；(3)在一导电基板上形成一具导电性的粘合层，且置放该粘合层与发光二极管磊晶层上的反射层隔空相对；(4)利用晶片粘合技术致使发光二极管磊晶层上的反射层及导电基板上的粘合层相互贴合；(5)选择移除大部分的砷化镓基板；及(6)在导电基板的底层及所剩余的砷化镓基...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄丰如，
申请(专利权)人：光磊科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]