在半导体结构中消除凸点效应的方法技术

本发明专利技术提供一种在半导体结构中消除凸点效应的方法，该方法通过分别利用双氧水和He等离子体清洗经过化学机械研磨平坦化处理过的基片表面，以除去残留的有机物和金属微粒，然后依次在清洗过的基片表面形成金属粘附层和超低k介电层，通过UV固化处理后形成多孔超低k介电层。利用扫描电镜测试最终形成的半导体结构，证明了本发明专利技术的方法消除了传统工艺中表面容易出现的凸点效应，提高了半导体器件的良率。

【技术实现步骤摘要】
在半导体结构中消除凸点效应的方法
本专利技术涉及一种半导体制造工艺领域，特别是涉及一种在半导体结构中消除凸点效应的方法。
技术介绍
在集成电路工艺中，有着热稳定性、抗湿性的氧化硅一直是金属互连线之间使用的主要绝缘材料，金属铝则是芯片中电路互连导线的主要材料。然而，随着半导体工业进入深亚微米时代，尤其当特征尺寸越来越小时，互连延迟已经超过门延迟成为提高工作速度的最大障碍。铜电镀、化学机械研磨工艺以及大马士革工艺技术的日益成熟，解决了降低导线电阻方面的问题，然而，在降低寄生电容方面，由于工艺上和导线电阻的限制，使得我们无法考虑通过几何上的改变来降低寄生电容值。因此，与大马士革工艺兼容的新型低k材料的研究与应用成为半导体工业面临的一个巨大的挑战。除了低k介电常数以外，低k材料还必须满足很多严格的要求才能成功运用在集成电路中，这些要求包括良好地热稳定性、机械强度大、热导率高、水汽吸收小、易于图形化以及与CMP工艺兼容等。近年来人们进行了广泛的研究来开发满足上述要求的低k材料，已取得了突破性进展。然而，在目前传统集成电路互连工艺中（如图1a～1d），一般通过电镀工艺在低k介电材料层10中镶嵌导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在半导体结构中消除凸点效应的方法，其特征在于，所述方法至少包括：1）提供一经过化学机械研磨平坦化处理过的基片，该基片具有镶嵌导电金属互连结构的第一介电层；2）分别利用双氧水和等离子体工艺清洗所述基片表面，以去除平坦化处理工艺后的残留颗粒；3）在所述清洗过的基片表面依次形成金属粘附层、第二介电层、第三介电层以及硬掩膜层。

【技术特征摘要】
1.一种在半导体结构中消除凸点效应的方法，其特征在于，所述方法至少包括：1)提供一经过化学机械研磨平坦化处理过的基片，该基片具有镶嵌导电金属互连结构的第一介电层；2)分别利用双氧水和中性He等离子体工艺清洗所述基片表面，以去除平坦化处理工艺后的残留颗粒，其中，所述双氧水浓度为0.1％～30wt％，所述He等离子体的流量为300～4000sccm，等离体反应腔的功率为100～1000w，腔内压强为1～7torr；3)在所述清洗过的基片表面依次形成金属粘附层、第二介电层、第三介电层以及硬掩膜层。2.根据权利要求1所述的半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：周鸣，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31