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本发明提供一种在半导体结构中消除凸点效应的方法，该方法通过分别利用双氧水和He等离子体清洗经过化学机械研磨平坦化处理过的基片表面，以除去残留的有机物和金属微粒，然后依次在清洗过的基片表面形成金属粘附层和超低k介电层，通过UV固化处理后形成多...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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