【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及从宽带隙材料制造半导体器件，具体涉及从带有III族氮化物外延层基体的复合构件回收碳化硅的一种方法。本专利技术涉及近来扩大研究、发展、制造和使用来源于宽带隙材料的电子器件，具体包括碳化硅(SiC)和诸如氮化镓(GaN)的III族氮化物(亦即周期表的III族B，Al，Ga，In，Tl)。出于几个原因对这两者材料感兴趣。碳化硅由于其宽带隙(在300K时α-SiC的带隙为2.99eV)及其电子、物理、热和化学方面的异常特性，是半导体应用中一种有吸引力的候选材料。氮化镓尽管不能完全享有与碳化硅同样的物理特性，但仍给出宽带隙(于300K时的3.36eV)直接跃迁(directtransition)发射体的电子学优点。碳化硅和氮化镓两者虽有其固有的区别，由于其宽带隙都是制造发光二极管(LEDs)的理想的候选材料，能够以较高功率发光。就发光特征而言，较高功率意味着较高的频率和较长的波长。具体言之，碳化硅和氮化镓的带隙足够宽而能发射可见光的兰光(亦即波长在455和492纳米之间)，这种颜色是其他大多数半导体不能直接产生的。光电器件，其设计及其运行理论的较彻底的讨...
【技术保护点】
一种回收表面待用碳化硅基体的方法，该方法通过从基体上化学去除氮化物而由碳化硅基体上的Ⅲ族氮化物杂外延结构回收表面待用碳化硅基体，其特征在于： 向碳化硅基体上的Ⅲ族氮化物外延层施加应力，所述应力能使外延层内有效增加位错数量以便让外延层在无机酸内受到浸蚀和溶解，但反过来并不影响碳化硅基体；和 随后用无机酸接触外延层以便去除Ⅲ族氮化物同时留下不受影响的碳化硅基体。
【技术特征摘要】
US 1997-4-17 08/840,9611.一种回收表面待用碳化硅基体的方法，该方法通过从基体上化学去除氮化物而由碳化硅基体上的III族氮化物杂外延结构回收表面待用碳化硅基体，其特征在于向碳化硅基体上的III族氮化物外延层施加应力，所述应力能使外延层内有效增加位错数量以便让外延层在无机酸内受到浸蚀和溶解，但反过来并不影响碳化硅基体；和随后用无机酸接触外延层以便去除III族氮化物同时留下不受影响的碳化硅基体。2.一种权利要求1的方法制造的碳化硅基体。3.根据权利要求1的方法，其中向III族氮化物施加应力的步骤包括向AlXGa1-xN层施加应力。4.根据权利要求1的方法，其中向III族氮化物层施加应力的步骤包括向氮化镓层施加应力。5.根据权利要求1的方法，其中施加应力步骤包括将基体和外延层加热到足够造成外延层离解的温度。6.根据权利要求1的方法，其中施加应力步骤包括将基体和外延层进行快速热退火。7.根据权利要求6的方法，其中快速热退火在低压下进行。8.根据权利要求6的方法，其中在大气环境下于...
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