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公开一种从碳化硅基体上的Ⅲ族氮化物杂外延结构回收表面待用碳化硅基体的方法。该方法包括向碳化硅基体上的Ⅲ族氮化物外延层施加应力使外延层内有效增加位错数量以便让外延层在无机酸内受到浸蚀和溶解，但反过来并不影响碳化硅基体，和随后用无机酸接触外延层...
该专利属于克里公司所有，仅供学习研究参考，未经过克里公司授权不得商用。

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