【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及具有优异的阻燃性、耐焊性、耐湿可靠性及流动性的半导体密封用树脂组合物，和使用该组合物的半导体装置及半导体装置的制法。
技术介绍
晶体管、集成电路(IC)、大型集成电路微处理机(LSI)等的半导体元件，以往利用陶瓷等密封而将半导体装置化，但为了成本及大量生产，时下使用塑料的树脂密封型的半导体装置已变为主流。关于此种树脂密封，以往多使用环氧树脂组合物，且获得相当良好的效果。然而，由于半导体领域的技术革新，随着集成度的增高，组件尺寸大型化及配线的微细化，亦逐渐提升，并有封装(package)的小型化及薄型化的倾向，与此同时对其所使用的密封材料的可靠性的要求亦趋严格。另一方面，由于半导体装置等的电子零件必须符合阻燃性规格的UL94 V-0，以往为了使半导体密封用树脂组合物具备阻燃性作用的方法，一般皆采用添加溴化环氧树脂及氧化锑。然而，上述的阻燃性赋予技术，有二个大问题。第1个问题为，三氧化锑本身的有害性，即于燃烧时发生的溴化氢、溴系气体及溴化锑等对人体的危害以及对机器的腐蚀性的问题。第2个问题为，将采用上述的阻燃性赋予技术的半导体装置长时间放置于高温环境时...
【技术保护点】
一种半导体密封用树脂组合物，其特征在于，该组合物含有下列成分（Ａ）～（Ｃ）： （Ａ）热硬性树脂； （Ｂ）硬化剂； （Ｃ）由下示通式（Ⅰ）所示的多面体形状的复合金属氢氧化物， ｍ（Ｍ↓［ａ］Ｏ↓［ｂ］）.ｎ（Ｑ↓［ｄ］Ｏ↓［ｅ］）.ｃＨ↓［２］Ｏ……（Ⅰ） 式中，Ｍ及Ｑ为不同的金属元素，Ｑ为选自属于元素周期表中的Ⅳａ、Ⅴａ、Ⅵａ、Ⅶａ、Ⅷ、Ⅰｂ、Ⅱｂ族中的金属元素。又，ｍ、ｎ、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ为正数，可为相同或不同的值。
【技术特征摘要】
JP 1997-4-21 103646/971.一种半导体密封用树脂组合物，其特征在于，该组合物含有下列成分(A)～(C)(A)热硬性树脂；(B)硬化剂；(C)由下示通式(I)所示的多面体形状的复合金属氢氧化物，m(MaOb)·n(QdOe)·cH2O……(I)式中，M及Q为不同的金属元素，Q为选自属于元素周期表中的IVa、Va、VIa、VIIa、VIII、Ib、IIb族中的金属元素。又，m、n、a、b、c、d、e为正数，可为相同或不同的值。2.按照权利要求1记载的半导体密封用树脂组合物，其中代表式(I)所示的复合金属氢氧化物的金属元素的M选自铝、镁、钙、镍、钴、锡、锌、铜、铁、钛及硼中的至少一种金属。3.按照权利要求1或2所述的半导体密封用树脂组合物，其中表示式(I)所示的复合金属氢氧化物的金属元素的Q选自铁、钴、镍、钯、铜、锌及镉中的至少一种金属。4.按照权利要求1～3的任一项所述的半导体密封用树脂组合物，其中式(I)代表的复合金属氢氧化物的平均粒径为0.5～10μm。5.按照权利要求1～4的任一项所述的半导体密封用树脂组合物，其中式(I)代表的复合金属氢氧化物的宽长比为1～8。6.按照权利要求1～5的任一项所述的半导体密封用树脂组合物，其中复合金属氢氧化物全体中的上式(I)代表的具有多面体形状的复合金属氢氧化物的所占比例为30～100重量％范围。7.按照权利要求1～6的任一项记载的半导体密封用树脂组合物，其中式(I)所代表的复合金属氢氧化物为sMgO·(1-s)NiO·cH2O式中0＜s＜1，0＜c≤1。8.按照权利要求1～6的任一项记载的半导体密封用树脂组合物，其中式(I)所代表的复合金属氢氧化物为sMgO·(1-s)ZnO·cH2O式中0＜s＜1，0＜c≤1。9.按照权利要求1～8的任一项所述的半导体密封用树脂组合物，其中式(I)代表的复合金属氢氧化物的含有量为树脂组合物全体的1～30重量％。10.按照权利要求1～9的任一项所述的半导体密封用树脂组合物，其中该半导体密...
【专利技术属性】
技术研发人员：山本裕子，山口美穗，执行瞳，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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