【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是有关于一种使用于微电子产品的，且特别是一种使用于例如混合电路(hybridcircuit)微电子产品中，主要应用在表面粘著技术(Surface Mount Technology，SMT)的薄膜电阻器元件，例如薄膜片电阻(thin film chip resistor)或薄膜多联式晶片排列电阻(thin film chip resistor array)的制作方法。薄膜电阻器一般是用于微电子产品，作为电路中被动(passive)电子电路元件和/或承载(load bearing)电子电路元件之用，所采用的微电子产品包含有集成电路微电子产品和混合电路微电子产品。若就混合电路微电子产品所用的薄膜电阻器的制程而言，习用方法是于一绝缘基板，例如一玻璃绝缘基板或一陶瓷绝缘基板上，形成一薄膜电阻及导体材料覆盖后，以微影光蚀刻(photolithography)方式定义(pattern)电阻材料及导体图案，之后再以一聚焦激光束修整(trim)电阻材料，使电阻值能更精确控制，继而切割绝缘基板形成分立薄膜晶片电阻(discrete thin film chip res...
【技术保护点】
一种薄膜电阻器的制作方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一绝缘基板；形成一图案定义（ｐａｔｔｅｒｎｅｄ）导体层于该绝缘基板；形成一遮罩层于该绝缘基板与该导体层表面，使部分用以形成电阻层的绝缘基板表面，及可以与电阻层电性接触的导体 层裸露；形成一薄膜电阻材料于该绝缘基板裸露的部分，并且与该裸露的导体层电性接触；以及除去该遮罩层，以形成一图案定义（ｐａｔｔｅｒｎｅｄ）薄膜电阻层。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种薄膜电阻器的制作方法，其特征在于，包括下列步骤提供一绝缘基板；形成一图案定义(patterned)导体层于该绝缘基板；形成一遮罩层于该绝缘基板与该导体层表面，使部分用以形成电阻层的绝缘基板表面，及可以与电阻层电性接触的导体层裸露；形成一薄膜电阻材料于该绝缘基板裸露的部分，并且与该裸露的导体层电性接触；以及除去该遮罩层，以形成一图案定义(patterned)薄膜电阻层。2.如权利要求1所述的薄膜电阻器的制作方法，其特征在于，其中该绝缘基板是为一玻璃绝缘基板和一陶瓷绝缘基板所组成的绝缘基板之一。3.如权利要求1所述的薄膜电阻器的制作方法，其特征在于，其中该绝缘基板为一氧化铝(alunina)陶瓷绝缘基板，且其氧化铝成分约为94％-99.6％。4.如权利要求1所述的薄膜电阻器的制作方法，其特征在于，其中该导体层形成前更包含于该绝缘基板上形成平坦层(leveling layer)以平坦化该绝缘基板。5.如权利要求4所述的薄膜电阻器的制作方法，其特征在于，其中该平坦层的沉积方式为热辅助蒸镀法、电子束辅助蒸镀法、化学气相沉积法、电浆辅助化学气相沉积法与物理气相沉积的浅镀法所组成的沉积方式之一。6.如权利要求4所述的薄膜电阻器的制作方法，其特征在于，其中该平坦层为一二氧化硅、氮化硅所组成的绝缘层。7.如权利要求1所述的薄膜电阻器的制作方法，其特征在于，其中该导体层是以一种非微影光蚀刻的印刷方式形成不连续的图案。8.如权利要求7所述的薄膜电阻器的制作方法，其特征在于，其中该非微影光蚀刻的印刷方式为网版印刷(screenprint)和能量束感应印刷(energy beam induced print)所组成的印刷方式之一。9.如权利要求7所述的薄膜电阻器的制作方法，其特征在于，其中该非微影光蚀刻的印刷方式是运用以一导体糊剂的网版印刷方式，该导体糊剂为银、银合金、金、金合金、铜、铜合金、钯(palladium)、钯合金、镍、镍合金所组成的导体之一。10.如权利要求1所述的薄膜电阻器的制作方法，其特征在于，其中该遮罩层是以一种非微影光蚀刻的印刷方式形成。11.如权利要求1所述的薄膜电阻器的制作方法，其特征在于，其中该薄膜电阻材料是以一种薄膜沉积方式形成。12.如权利要求11所述的薄膜电阻器的制作方法，其特征在于，其中该薄膜沉积方式为热辅助蒸镀法、电子束辅助蒸镀法、化学气相沉积法、电浆辅助化学气相沉积法与物理气相沉积的浅镀...
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