ITO薄膜的电阻调节方法技术

本发明专利技术提供一种ITO薄膜的电阻调节方法，其至少包括以下步骤：步骤S1，向真空腔室内输送工艺气体，并开启激励电源，以激发工艺气体形成的等离子体轰击ITO靶材，并在被加工工件的表面上沉积ITO薄膜；步骤S2，停止向真空腔室内输送工艺气体，且关闭激励电源，并使被加工工件在真空腔室内保持预设时长，通过改变预设时长来调节ITO薄膜的电阻。本发明专利技术提供的ITO薄膜的电阻调节方法，其不仅可以减小ITO薄膜的电阻和提高ITO薄膜的电阻均匀性，从而可以提高ITO薄膜的工艺质量；而且可以降低投入成本，并使得调节过程简单，从而可以提高工作效率，进而可以提高经济效益。

【技术实现步骤摘要】
ITO薄膜的电阻调节方法
本专利技术属于半导体加工
，具体涉及一种ITO薄膜的电阻调节方法。
技术介绍
由于ITO薄膜可以在很大程度上提高半导体器件的出光效率，因此其被广泛应用于LED器件上。并且，ITO薄膜的电阻是影响LED器件电学性能的主要因素，通常在ITO薄膜厚度相同的情况下，ITO薄膜的电阻越小，LED器件的电学性能越好。目前，通常采用物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition，以下简称PVD)设备用于在被加工工件的表面上制备ITO薄膜。图1为现有的PVD设备中真空腔室的结构简图，请参阅图1，真空腔室10包括承载装置11、靶材12和磁控管13。其中，承载装置11设置在真空腔室10的底部，用于承载被加工工件S；靶材12设置在反应腔体10的顶部，并与设置在真空腔室10外部的激励电源14连接，用以在激励电源14导通时将真空腔室10内的工艺气体(例如，氩气和氧气)激发形成等离子体；而且，激励电源14向靶材12提供负偏压，等离子体中的正离子受负压的吸引轰击靶材12的表面，使靶材12表面的金属原子逸出并沉积在被加工工件S的表面，从而在被加工工件S的表面沉积ITO薄膜；并且，磁控管13设置在靶材12的上方，用以将等离子体聚集在靶材12的下方。为了提高LED器件的电学性能，通常在沉积ITO薄膜的过程中改变激励电源的输出功率、氩气和氧气的气体流量比、真空腔室的气压和温度等沉积ITO薄膜的参数，以使ITO薄膜的方块电阻Rs变小，且由于ITO薄膜的电阻与其方块电阻Rs成正比关系，因此，ITO薄膜的方块电阻Rs越小即ITO薄膜的电阻越小。例如，在保证其他参数条件一定的前提下，真空腔室10的气压越高，沉积相同厚度的ITO薄膜的方块电阻Rs越大；或者，真空腔室10的温度越高，沉积相同厚度的ITO薄膜的方块电阻Rs越小；或者，氩气气流量一定时，氧气的气流量从小到大，沉积相同厚度的ITO薄膜的方块电阻Rs先减小后增大。然而，通过上述方法来减小ITO薄膜的方块电阻Rs在实际工作过程中发现，这会使得ITO薄膜的方块电阻Rs变化较大，因而使得ITO薄膜的电阻变化较大，从而导致ITO薄膜的电阻均匀性差，进而导致ITO薄膜的工艺质量差。
技术实现思路
本专利技术旨在解决现有技术中存在的技术问题，提供了一种ITO薄膜的电阻调节方法，其不仅可以减小ITO薄膜的电阻和提高ITO薄膜的电阻均匀性，从而可以提高ITO薄膜的工艺质量；而且可以降低投入成本，并使得调节过程简单，从而可以提高工作效率，进而可以提高经济效益。本专利技术提供一种ITO薄膜的电阻调节方法，至少包括以下步骤：步骤S1，向真空腔室内输送工艺气体，并开启激励电源，以激发所述工艺气体形成等离子体轰击ITO靶材，以在被加工工件的表面上沉积所述ITO薄膜；步骤S2，停止向所述真空腔室内输送所述工艺气体，且关闭所述激励电源，并使所述被加工工件在所述真空腔室内保持预设时长，通过改变所述预设时长来调节所述ITO薄膜的电阻。其中，所述预设时长的范围为10分钟以内。优选地，所述预设时长为6分钟。其中，在所述步骤S1和所述步骤S2中，所述真空腔室的气压范围在1.0～7.0mT。其中，所述步骤S2还包括，向所述真空腔室内输送氩气，通过调节所述氩气的气流量来改变所述真空腔室的气压，以调节所述ITO薄膜的电阻。其中，所述氩气的气流量的范围在0～200sccm。其中，所述步骤S1包括以下步骤：步骤S11，预先在所述被加工工件的表面上沉积第一厚度的所述ITO薄膜；步骤S12，在第一厚度的所述ITO薄膜上沉积第二厚度的所述ITO薄膜。其中，在所述步骤S1中，所述工艺气体包括氩气和氧气，所述激励电源包括射频电源和/或直流电源。其中，在所述步骤S11中所需的参数包括：所述射频电源的输出功率为250W，所述直流电源的输出功率为130W，所述氧气的气流量为0.15sccm，所述氩气的气流量为35sccm，所述真空腔室的气压为1.0mT。其中，在所述步骤S12中所需的参数包括：所述射频电源的输出功率为0W，所述直流电源的输出功率为130W，所述氧气的气流量为0.2sccm，所述氩气的气流量为80sccm，所述真空腔室的气压为2.0mT。本专利技术具有下述有益效果：本专利技术提供的ITO薄膜的电阻调节方法，其包括步骤S1，向真空腔室内输送工艺气体，并开启激励电源，以激发工艺气体形成的等离子体轰击ITO靶材，并在被加工工件的表面上沉积ITO薄膜；步骤S2，停止向真空腔室内输送工艺气体，且关闭激励电源，并使被加工工件在真空腔室内保持预设时长，通过改变预设时长来调节ITO薄膜的电阻。由上可知，在步骤S1中沉积ITO薄膜之后还增加步骤S2，由于在步骤S2中真空腔室内会存有少量的工艺气体，且该工艺气体的含量会在预设时长内发生变化并影响ITO薄膜，使得ITO薄膜的方块电阻减小，从而可以减小ITO薄膜的电阻和提高ITO薄膜的电阻均匀性，进而可以提高ITO薄膜的工艺质量；而且，仅借助在步骤S2中真空腔室内存有的少量的工艺气体来调节ITO薄膜的电阻，这与现有技术中通过改变激励电源的输出功率等沉积薄膜的参数相比，可以降低投入成本，并使得调节过程简单，从而可以提高工作效率，进而可以提高经济效益。附图说明图1为现有的PVD设备中真空腔室的结构简图；图2为本专利技术提供的ITO薄膜的电阻调节方法的流程框图；图3为ITO薄膜的方块电阻参数的曲线图；图4为ITO薄膜的方块电阻的均匀性参数的曲线图；图5为ITO薄膜的厚度参数的曲线图；以及图6为ITO薄膜对波长455nm的薄膜透过率参数的曲线图。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图对本专利技术提供的ITO薄膜的电阻调节方法进行详细描述。图2为本专利技术提供的ITO薄膜的电阻调节方法的流程框图。请参阅图2，该ITO薄膜的电阻调节方法至少包括以下步骤：步骤S1，向真空腔室内输送工艺气体，并开启激励电源，以激发工艺气体形成的等离子体轰击ITO靶材，并在被加工工件的表面上沉积ITO薄膜；步骤S2，停止向真空腔室内输送工艺气体，且关闭激励电源，并使被加工工件在真空腔室内保持预设时长，通过改变预设时长来调节ITO薄膜的电阻。在本实施例中，步骤S1包括以下步骤，步骤S11，预先在被加工工件的表面上沉积第一厚度的ITO薄膜，在本实施例中，具体地，第一厚度为20nm；步骤S12，在第一厚度的ITO薄膜上沉积第二厚度的ITO薄膜，在本实施例中，具体地，第二厚度为100nm。其中，在步骤S1中，工艺气体包括氩气和氧气，激励电源包括射频电源RF和/或直流电源DC。具体地，在步骤S11中沉积20nm厚度的ITO薄膜所需的参数包括：射频电源RF的输出功率为250W，直流电源DC的输出功率为130W，氧气的气流量为0.15sccm，氩气的气流量为35sccm，真空腔室的气压为1.0mT；在步骤S12中沉积100nm厚度的ITO薄膜所需的参数包括：射频电源RF的输出功率为0W，直流电源DC的输出功率为130W，氧气的气流量为0.2sccm，氩气的气流量值为80sccm，真空腔室的气压为2.0mT。因此，在步骤S1中可完成在被加工工件的上表面上沉积厚度为120nm的ITO薄膜。在步骤S1完成之后，具本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ITO薄膜的电阻调节方法，其特征在于，至少包括以下步骤：步骤S1，向真空腔室内输送工艺气体，并开启激励电源，以激发所述工艺气体形成等离子体轰击ITO靶材，以在被加工工件的表面上沉积所述ITO薄膜；步骤S2，停止向所述真空腔室内输送所述工艺气体，且关闭所述激励电源，并使所述被加工工件在所述真空腔室内保持预设时长，通过改变所述预设时长来调节所述ITO薄膜的电阻。

【技术特征摘要】
1.一种ITO薄膜的电阻调节方法，其特征在于，至少包括以下步骤：步骤S1，向真空腔室内输送工艺气体，并开启激励电源，以激发所述工艺气体形成等离子体轰击ITO靶材，以在被加工工件的表面上沉积所述ITO薄膜；步骤S2，停止向所述真空腔室内输送所述工艺气体，且关闭所述激励电源，并使所述被加工工件在所述真空腔室内保持预设时长，通过改变所述预设时长来调节所述ITO薄膜的电阻。2.根据权利要求1所述的ITO薄膜的电阻调节方法，其特征在于，所述预设时长的范围为10分钟以内。3.根据权利要求2所述的ITO薄膜的电阻调节方法，其特征在于，所述预设时长为6分钟。4.根据权利要求1所述的ITO薄膜的电阻调节方法，其特征在于，在所述步骤S1和所述步骤S2中，所述真空腔室的气压范围在1.0～7.0mT。5.根据权利要求1所述的ITO薄膜的电阻调节方法，其特征在于，所述步骤S2还包括，向所述真空腔室内输送氩气，通过调节所述氩气的气流量来改变所述真空腔室的气压，以调节所述ITO薄膜的电阻。6.根据权利要求5所述的ITO薄膜的电阻调节方法，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：田立飞，荣延栋，王厚工，丁培军，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11