Ⅲ族氮化物半导体发光组件的切割方法技术

一种Ⅲ族氮化物半导体发光组件的切割方法，其以放电蚀刻方式进行发光二极管组件的晶粒切割剥离的辅助技术，该方法有别于一般使用钻石刀及点划线的切割方式，具有有效的缩短切割工时、改善晶粒剥离的优良率及外观形状，以及降低切割所造成的钻石刀损耗成本等优点。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是一种III族氮化物半导体发光组件的切割方法，尤指一种能改善发光二极管组件的晶粒切割剥离的优良率及缩短制造工时的切割方式。常用的III族氮化物(Group III Nitride)半导体发光组件的切割方式，是于芯片的正面以钻石刀(dicing saw)切割至数微米深度，再于该芯片的背面进行划线(scribe)，以使晶粒劈裂剥离。其主要缺陷在于1、以钻石刀切割方式耗时，且其切割深度受限于钻石刀锋的损耗，无法做快速及较深的切割，造成切割的工时增加及无法降低成本。2、晶粒剥离后的外型，因划线(scribe)深度不足或因该芯片的正面无辅助的断裂有效因子，使得晶粒无法作有效或依划线(scribe)的线条剥离，造成晶粒外型不良。针对上述缺陷，本专利技术人乃特潜心的研究并配合学理的运用，以提出一种有别于一般使用钻石刀及点划线的切割方式。本专利技术的主要目的在于提供一种III族氮化物半导体发光组件的切割方法，其是于芯片的正面或基板面，沿其切割道施以放电蚀刻，再于该放电蚀刻面的背面进行劈裂(break)，剥离成晶粒。本专利技术的第二目的在于提供一种III族氮化物半导体发光组件的切割方法，其是于芯片的正面或基板面，沿其切割道施以放电蚀刻，接着，于该放电蚀刻面的背面施以钻石刀(dicing saw)划线后，再进行劈裂(break)，以加强其劈裂效果。本专利技术的第三目的在于提供一种III族氮化物半导体发光组件的切割方法，以放电蚀刻方式进行发光二极管组件的晶粒切割剥离的辅助技术，由于其是以放电蚀刻方式进行芯片的切割线建立，故可针对较难切割的蓝宝石基板进行蚀刻，而达到较佳的切割效果。本专利技术的第四目的在于提供一种III族氮化物半导体发光组件的切割方法，以放电蚀刻方式进行发光二极管组件的晶粒切割剥离的辅助技术，由于其有别于一般使用钻石刀及点划线的切割方式，故能缩短切割工时、改善晶粒剥离的优良率及外观形状，以及降低切割所造成的钻石刀损耗成本。本专利技术的目的是这样实现的一种III族氮化物半导体发光组件的切割方法，其特征在于它包括下列步骤(a)、于芯片的正面或基板面沿切割道施以放电蚀刻；(b)、于该放电蚀刻面的背面行劈裂剥离成晶粒。该步骤(a)的放电蚀刻方式是以金属线施以适当电流，并辅助以适当的蚀刻溶液，于该芯片表面进行线状的蚀刻，适当控制金属线自芯片表面至芯片内部的距离，以控制其蚀刻深度。该步骤(a)的芯片可为尚未进行制程的磊芯片。一种III族氮化物半导体发光组件的切割方法，其特征在于该包括下列步骤(a)、于芯片的正面或基板面沿切割道施以放电蚀刻；(b)、于该放电蚀刻面的背面施以钻石刀划线或点划线；(c)、进行劈裂剥离成晶粒。该步骤(a)的放电蚀刻方式是以金属线施以适当电流，并辅助以适当的蚀刻溶液，于该芯片表面进行线状的蚀刻，适当控制金属线自芯片表面至芯片内部的距离，以控制其蚀刻深度。该步骤(a)的芯片可为尚未进行制程的磊芯片。本专利技术的主要优点是具有能缩短切割工时、改善晶粒剥离的优良率及外观形状，以及降低切割所造成的钻石刀损耗成本。下面结合较佳实施例和附图进一步说明。附图说明图1是本专利技术进行放电蚀刻的流程图。图2是本专利技术未切割前的芯片正面的俯视图。图3是本专利技术未切割前的芯片正面的侧视图。图4是本专利技术于芯片的正面沿切割道进行放电蚀刻的俯视图。图5是本专利技术于芯片的正面沿切割道进行放电蚀刻的侧视图。图6是本专利技术于芯片的正面沿垂直方向的切割道完成放电蚀刻至基板区域的俯视图。图7是本专利技术于芯片的正面沿垂直方向的切割道完成放电蚀刻至基板区域的侧视图。图8是本专利技术于芯片的正面沿水平方向的切割道完成放电蚀刻至基板区域的俯视图。图9是本专利技术于芯片的正面沿水平方向的切割道完成放电蚀刻至基板区域的侧视图。图10是本专利技术进行放电蚀刻的实施例2的流程图。实施例1参阅图1-图9，本专利技术是一种以放电蚀刻方式进行发光二极管的晶粒切割剥离的方式，其是于芯片的正面，沿其切割道施以放电蚀刻10，可依需求蚀刻至基板区域，然后，于该放电蚀刻面的背面进行劈裂(break)20，剥离成晶粒。本专利技术的实施例是在一未经切割前的芯片7正面上，于其沿切割道施以放电蚀刻，该放电蚀刻方式是以金属线2施以适当电流，并辅助以适当的蚀刻溶液，于芯片7表面进行线状的蚀刻，如图4、5，适当控制金属线2自芯片7表面至基板6内部的距离，以控制其蚀刻深度，并陆续完成于垂直方向的蚀刻，如图6、7，然后，于水平方向的切割道施以放电蚀刻，并陆续完成，如图8、9，完成正面的放电蚀刻制程，即径行于芯片7背面进行劈裂(break)剥离成晶粒。该芯片7上布设有多数晶粒3，该等晶粒3之间是保持适当间距，各晶粒3上分别形成一P电极4及一N电极5。实施例2参阅图10，本专利技术亦可于上述完成正面的放电蚀刻10制程后，于该放电蚀刻面的背面再施以钻石刀划线(scribe)30，再进行劈裂(break)40，以加强其劈裂的效果。本专利技术的放电蚀刻面亦可为该芯片7的基板的6面。此外，本专利技术的芯片亦可为尚未进行制程的磊芯片，完成芯片正面的切割道放电蚀刻后，再进行下一步制程。综上述，透过本专利技术的放电蚀刻方式，具如下述的特点1).可缩短切割工时。2).降低切割所造成的钻石刀损耗成本。3).改善晶粒剥离的优良率及外观形状。4).可针对较难切割的基板进行蚀刻，达到较佳切割效果。总之，本专利技术可增加产业上利用性，不同于一般使用钻石刀及点划线切割方式，具有创造性。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Ⅲ族氮化物半导体发光组件的切割方法，其特征在于：它包括下列步骤： （ａ）、于芯片的正面或基板面沿切割道施以放电蚀刻； （ｂ）、于该放电蚀刻面的背面行劈裂剥离成晶粒。

【技术特征摘要】
1.一种III族氮化物半导体发光组件的切割方法，其特征在于它包括下列步骤(a)、于芯片的正面或基板面沿切割道施以放电蚀刻；(b)、于该放电蚀刻面的背面行劈裂剥离成晶粒。2.如权利要求1所述的III族氮化物半导体发光组件的切割方法，其特征在于该步骤(a)的放电蚀刻方式是以金属线施以适当电流，并辅助以适当的蚀刻溶液，于该芯片表面进行线状的蚀刻，适当控制金属线自芯片表面至芯片内部的距离，以控制其蚀刻深度。3.如权利要求1所述的III族氮化物半导体发光组件的切割方法，其特征在于该步骤(a)的芯片可为尚未进行制程的磊芯片。4.一种III族...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄荣义，钟长祥，陈泽澎，
申请(专利权)人：国联光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]