集成型半导体激光元件及其制造方法技术

提高集成ＧａＮ类半导体激光元件与ＧａＰ类半导体激光元件的集成型半导体激光元件的激光特性，并实现长寿命化。在接合形成于ＧａＮ基板的由氮化物类半导体激光器结构组成的ＬＤ１晶片与形成于ＧａＡｓ基板的由镓磷类半导体激光器结构组成的ＬＤ１晶片与形成于ＧａＡｓ基板的由镓磷类半导体激光器结构组成的ＬＤ２晶片的接合工序前，通过蚀刻加工形成氮化物类半导体激光器结构的共振器端面。镓磷类半导体激光器结构的共振器端面在接合工序后通过剪切加工形成。氮化物类半导体激光元件的共振器端面与镓磷类半导体激光元件的共振器端面在共振器的延长方向错位的状态下接合。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，特别是，涉及能够低阈值振荡、高输出动作，且长寿命的集成型半导体激光元件，及其制造方法。
技术介绍
近年来，以红色激光器为光源的DVD-ROM、-RAM、-RW、-R等大容量光盘系统正在迅速地扩大市场。进而，对Blu-ray或HD-DVD等以蓝紫色激光器为光源的下一代超大容量光盘系统的期待高涨，其开发正日益盛行。在这些光盘系统中与上一代光盘系统的互换性的确保是重要的。也就是说，在DVD中与CD的互换性，此外，在Blu-ray或HD-DVD中与DVD或CD的互换性成为必要。为此，不同波长(400nm带、650nm带、780nm带)的激光器是必不可少的。这种互换性，虽然可以通过在一个系统内针对各个波长构筑各个不同光学系统来确保，但是这使成本增高。因此，为了简化光学系统，实现低成本化，从一个元件能够射出不同波长的激光的集成型半导体激光二极管(LD)引人注目。作为集成型半导体激光器，例如，在特开2002-118331号公报中公开了由AlGaInN类(氮化镓类)材料组成的400nm带激光器与由AlGaInP类(镓磷类)材料组成的650nm带激光器所接合的集成型半导体激光器。关本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成型半导体激光元件，其特征在于，具有以下的结构：共振器长相互不同的第一半导体激光元件与第二半导体激光元件，在共振器延长方向大致平行，而且激光的射出端面和反射端面的至少一方在所述延长方向上以错位的状态下接合。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：野村康彦，别所靖之，畑雅幸，山口勤，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]