激光二极管制造技术

本发明专利技术提供一种低材料成本的容易组装的激光二极管。提供在衬底上具有激光器结构的第一发光器件，在衬底上具有激光器结构的第二发光器件，以及支撑基底。第一发光器件和第二发光器件以第一发光器件和第二发光器件的各个激光器结构彼此相对的方式依次叠层在支撑基底上，第一发光器件的衬底侧和第二发光器件的激光器结构侧电连接到支撑基底。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术设计一种包括多个发光器件例如二波长激光器以及三波长激光器的激光二极管。
技术介绍
近年来，在激光二极管(LD)领域，已经有效研制了具有多个发光部的多波长激光器，其中该多个发光部在相同衬底(或者基底)上具有不同发光波长。该多波长激光器例如用作光盘设备的光源。在这种光盘设备中，700纳米波段的激光用于在CD(光盘)中进行复制，并且用于在例如CD-R(可刻录CD)，CD-RW(可重写CD)以及MD(小型磁盘)那样的可刻录光盘中刻录和复制。此外，在这种光盘设备中，600纳米波段的激光用于在DVD(数字化视频光盘)中进行刻录和复制。通过将多波长激光器安装在光盘设备上，使得对于多种类型的现有光盘来说进行刻录或者复制才变为可能。此外，采用GaN，AlGaN混合晶体，以及GaInN混合晶体(此后称作GaN半导体)所代表的氮化物族III-V化合物半导体能实现短波长激光器(400纳米波段)。这种激光器在实际生活中用作较高密度光盘的光源。通过实现包括这种短波长激光器的多波长激光器，可以拓宽应用。过去，作为具有上述GaN激光器振荡部的三波长激光器设备，已经提出了具有如下结构的下述激光器设备(日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种激光二极管，包括：　　　　在第一衬底上的具有激光器结构的第一发光器件；　　　　在第二衬底上的具有激光器结构的第二发光器件；以及　　　　支撑基底，　　　　其中，第一发光器件和第二发光器件以第一发光器件和第二发光器件的各个激光器结构彼此相对的方式依次叠层在支撑基底上，以及　　　　第一发光器件的第一衬底侧和第二发光器件的激光器结构侧电连接到支撑基底。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤庆二，林隆一郎，及川健二，浅野竹春，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]