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提高集成ＧａＮ类半导体激光元件与ＧａＰ类半导体激光元件的集成型半导体激光元件的激光特性，并实现长寿命化。在接合形成于ＧａＮ基板的由氮化物类半导体激光器结构组成的ＬＤ１晶片与形成于ＧａＡｓ基板的由镓磷类半导体激光器结构组成的ＬＤ１晶片与形成于...
该专利属于三洋电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三洋电机株式会社授权不得商用。

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