双波长半导体激光发光装置及其制造方法制造方法及图纸

一种双波长半导体激光发光装置及制造方法，此装置包括形成在一基板上的一第一激光发光元件及一第二激光发光元件。制造方法将第二激光发光元件的一有源层堆栈在第一激光发光元件的一上包覆层的上方，使第一激光发光元件与该第二激光发光元件具有一共享电极，并可分别振荡不同波长的激光。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种双波长半导体激光发光装置及制造方法，特别是涉及在一基板上两颗不同的激光发光元件，此两颗不同的激光发光元件可分别振荡不同波长的激光。
技术介绍
在一基板上要形成具有双波长激光发光元件的半导体激光发光装置，现有的作法大都是在一基板上形成两颗各自独立激光发光元件，这两颗发光元件分别有独立的下包覆层、有源层及上包覆层。现有技术例如美国专利公告号6,468,820及美国专利公开号2003/0197204 A1中对此相关技术有详细介绍，在此仅提供如图1的简要图示以作为现有技术的说明。如图1所示，在基板30上有一第一激光发光元件区域以I代表、及第二激光发光元件区域以II代表。第一激光发光元件10的第一下包覆层111及第二激光发光元件20的第二下包覆层211各自独立地形成在基板30上。这种结构的制造方法包括多次蚀刻步骤。例如，在沉积第一复合层11之后，必需藉由蚀刻以去除不在区域I的第一复合层11，如此第二激光发光元件20才能形成在基板30上。而且，因为沉积第二复合层21在基板30上时也会同时沉积在第一复合层11的表面上，所以也要藉由蚀刻以去除第一激光区上的第二复合层21。再者，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双波长半导体激光发光装置，包括：一基板；一第一激光发光元件，形成在该基板上，该第一激光发光元件具有一第一下包覆层、一第一有源层及一第一上包覆层；以及一第二激光发光元件，形成在该基板上，该第二激光发光元件具有一第二 下包覆层、一第二有源层及一第二上包覆层；其中，该第二有源层堆栈在该第一上包覆层的上方，使该第一上包覆层作为该第二激光发光元件的第二下包覆层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邱舒伟，张智松，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]