【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种发光组件，尤其是涉及一种具有微反射结构层的发光组件。发光组件的应用颇为广泛，例如，可应用于光学显示装置、激光二极管、交通信号、信息储存装置、通讯装置、照明装置、以及医疗装置。在此技术中，目前技术人员重要课题之一为如何提高发光组件的发光效率。
技术介绍
于美国专利公开第2002/0017652号中，揭露一种具有埋藏式微反射结构AlGaInP发光组件，如图1所示，其利用蚀刻技术，将发光组件的外延层蚀刻成微反射结构，该微反射结构包含半圆球形、金字塔形或角锥形等，接着沈积金属反射层于该外延层上，再将微反射结构外延层的顶端与导电载体(硅芯片)键结在一起，再移除原先外延层的不透明基板，使得射向该不透明基板的光线可以射出。该微反射结构可将射向反射结构的光线经由反射带出，以提高发光组件的亮度。由于该发光组件仅靠反射结构的顶端与该载体局部相接合，接触面积较小，此结构的机械强度不够强，易造成接合面剥离。另外，对外延层进行蚀刻形成该微反射结构，因此该外延层必须成长到足够的厚度，否则蚀刻形成的微反射结构，无法达成光反射的功能，但是厚外延层成长需花费较长的时间，不仅耗...
【技术保护点】
一种具有微反射结构层的发光组件，包含：基板；微反射结构层，形成于该基板的上； 透明粘接层，形成于该微反射结构层的上；以及发光迭层，形成于该透明粘接层的上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：谢明勋，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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