制作氮化镓半导体元件中劈裂镜面的方法技术

本发明专利技术公开了一种制作氮化镓半导体元件中劈裂镜面的方法，至少包含在透明基材形成一层以上的氮化物半导体薄膜，并以微影术在氮化物半导体薄膜上定义浅蚀刻区并蚀刻出一高度差，在浅蚀刻区定义牺牲区的图案并在未蚀刻区定义保留区的图案，再以异向性蚀刻将氮化物半导体薄膜除了图案以外的区域蚀刻至露出透明基材为止。以高功率激光脉冲由透明基材的底面往顶面照射，以激光剥离方式将薄膜由原透明基材转置到另一基材上，浅蚀刻形成的高度差在牺牲区形成悬臂，再劈裂与新基材分离的牺牲区悬浮部分，即形成平滑的劈裂镜面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，尤其涉及一种 以高功率激光。
技术介绍
在光电产业中，以氮化镓系化合物为基材的半导体广泛地使用于各种光电元件中，如蓝光发光二极管(blue light emitting diodes; blue LEDs)，白 光发光二极管(white light emitting diodes; white LEDs)和激光二极管 (laser diode U))。上述几类以氮化镓为主要基材的二极管的专利技术可说是次世代的白光照明， 全彩显示器和高容量光驱等产业领域的主要推手。例如需要高功率光源的高容 量光驱便采用了波长为405纳米(mn)的侧射型激光二极管(edge emitting laser diode)。在包含法布里-珀罗(Fabry-Perot)共振腔的半导体激光中，其共振腔内 往返增益(round-trip gain)的效率依赖共振腔两端垂直镜面的平整度而定。 因此，如何增进共振腔两端镜面平整度的工艺实为制作半导体激光急需改善的课题。目前氮化物Fabry-Perot共振腔激光的端面镜主要有三种制造方法。第一 种方法如美国专利7015053号所述，是以活性离子蚀刻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制作氮化镓半导体元件中劈裂镜面的方法，其特征在于，至少包含下列步骤：（Ａ）在一透明基板上形成一缓冲层；（Ｂ）在该缓冲层上形成一活性层；（Ｃ）在该活性层上以光刻胶定义一图案；（Ｄ）将该图案内露出的该活性层为止；（Ｅ）将该图案内露出的该活性层蚀刻形成浅蚀刻区；（Ｆ）清除光刻胶；（Ｇ）在该活性层上形成一光刻胶；（Ｈ）在该光刻胶上定义一图案，该图案至少包含一保留区，两个牺牲区与两个凹陷图案，且该牺牲区连接于该保留区的两侧，该凹陷图案则分别介于该保留区与该牺牲区之间；该牺牲区位与该凹陷图案位于步骤（Ｅ）的浅蚀刻区内；（Ｉ）将该图案内的光刻胶曝光显影至露出该活性层为止，再沉积一金属层至该活性层上；（Ｊ...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟立，
申请(专利权)人：陈伟立，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]