温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种制作氮化镓半导体元件中劈裂镜面的方法，至少包含在透明基材形成一层以上的氮化物半导体薄膜，并以微影术在氮化物半导体薄膜上定义浅蚀刻区并蚀刻出一高度差，在浅蚀刻区定义牺牲区的图案并在未蚀刻区定义保留区的图案，再以异向性蚀刻将氮化...
该专利属于陈伟立所有，仅供学习研究参考，未经过陈伟立授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。