半导体激光元件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种能够提高半导体激光元件的波导路的解理面的平坦性的半导体激光元件。该半导体激光元件具有：支撑基板；具有设有沿第一方向延伸的波导路的端部的一对共振器面的半导体激光元件部；以及粘接支撑基板和半导体激光元件部的粘接层。粘接层在共振器面附近具有在所述波导路的至少是端部附近的区域上形成的空隙部。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，特别是涉及通过粘接 半导体激光元件部和支撑基板而形成的半导体激光元件及其制造方 法。相关申请的参考优先权申请号为JP2007-94738，名为半导体激光元件及其制造方 法，是由MasayuldHata于2007年3月30日提出的。本专利申请是在 其基础上提出的，引入其内容作为参考。
技术介绍
一直以来，公知有在粘接半导体激光元件部和支撑基板之后，通 过将形成有半导体激光元件部的基板分割为各元件而形成的半导体激 光元件及其制造方法。例如在电子信息通信学会技术研究报告Vol. 102 LQE2002-85 pp. 55-57中公幵有这种。在所述电子信息通信学会技术研究报告Vol. 102 LQE2002-85 pp. 55-57中记载有利用激光发射(LLO)法制造的半导体激光元件和半导 体激光元件的制造方法。参照图28，在现有的半导体激光元件中，在作为支撑基板的GaAs 基板301上，从下层向上层，形成由Ti层和Au层构成的接触金属层 302。在接触金属层302上，形成由Sn构成的第一融着层303。在第一 融着层303上形成由Au构成的第二融着层304。在第二融着层30本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光元件，其特征在于，包括：　　　　支撑基板；　　　　半导体激光元件部，其具有一对共振器面，该共振器面设有沿第一方向延伸的波导路的端部；以及　　　　粘接层，用于粘接所述支撑基板和所述半导体激光元件部，　　　　所述粘接层在所述共振器面附近具有在所述波导路的至少是端部附近的区域上形成的空隙部。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：畑雅幸，竹内邦生，德永诚一，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]