【技术实现步骤摘要】
相关的申请的相互参照本申请基于在2005年10月11日提交的先前的日本专利申请第2005-296931号并要求其优先权，此处引入其全部内容作为参考。
技术介绍
在下一代DVD(数字通用盘)用途中，使用400纳米频带的蓝紫色半导体激光器。作为发出该波长频带的半导体，氮化镓等的氮化物半导体的性能是优良的。在氮化物半导体激光器中，为了实现高输出、高可靠性，有在作为光共振器的条的两端面上形成电介质反射膜的技术公开例(专利文献1)。在该公开例中，其特征在于利用包含由SiO2、TiO2、ZrO2构成的材料中的2种的多层膜形成反射膜作为电介质反射膜。但是，在这样的结构的反射膜中，与氮化镓系列半导体的线膨胀系数的差过大，膜相互间的密接性是不充分的，反射膜容易剥离。其结果，容易产生特性的变化或可靠性的下降。再者，在氮化物半导体中，特别是在端面附近，容易产生因深的能级形成导致的非发光复合。该非发光复合使端面中的载流子减少，光吸收变大。由于该现象产生温度上升，产生端面附近的能带间隙收缩，故光吸收进一步变大。由于因该正反馈作用而产生COD(灾难性的光损伤)，故可利用的最大光输出下降。再有，...
【技术保护点】
一种氮化物半导体发光器件，其特征在于：具备氮化镓衬底和在上述氮化镓衬底上设置的包含发光层的氮化物半导体的多层膜，上述氮化镓衬底和上述多层膜分别构成由同一劈开面形成的激光出射侧端面和由同一劈开面形成的激光反射侧端面，在上述激光出射侧端面上设置了包含第１氮化硅层的第１膜，在上述激光反射侧端面上设置了包含第２氮化硅层和交替地层叠在上述第２氮化硅层上设置的氧化物层与氮化硅层的层叠膜的第２膜。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：松山隆之，小野村正明，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[]
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