一种ZnO基纳米线发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术涉及ＺｎＯ基纳米线发光二极管及其制备方法。ＺｎＯ基纳米线发光二极管是以ＺｎＯ为基，在衬底的一面自下而上依次沉积ｐ－ＺｎＯ薄膜层，ｐ－Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ薄膜层、０＜Ｘ＜０．５，ＺｎＯ纳米线阵列层和第二电极，在衬底的另一面沉积第一电极构成。其中的ＺｎＯ纳米线阵列层由垂直于衬底生长的ｎ－ＺｎＯ纳米线构成，纳米线之间的间隙由有机光刻胶填充。本发明专利技术的发光二极管以ＺｎＯ纳米线作为有源层，发光效率高；ＺｎＯ同质结结构，界面晶格匹配性好，有利于提高器件的性能；通过对ＺｎＯ纳米线尺寸的调节，可得不同波段的出射光，制得紫外光、紫光或蓝光等多种发光器件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光二极管及其制备方法，尤其是ZnO基纳米线发光二极管及其制备方法。
技术介绍
ZnO由于其室温下3.37eV的带宽和60meV的激子束缚能，被认为是一种理想的短波长发光器件材料。目前，p-ZnO薄膜的制备取得了重大进展，使得实现ZnO基发光二极管成为可能。另一方面，半导体纳米线由于其自组装的生长机理，单根纳米线具有优异的结晶质量。更由于量子局域效应，纳米线具有比体材料更高的激子束缚能和更好的发光性能。因此以纳米线作为发光二极管的有源层，可以大大提高发光效率。并且根据量子尺寸效应，通过对纳米线尺寸的调节，可得不同波段的出射光。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供，为发光二极管增加新品种。本专利技术的ZnO基纳米线发光二极管是以ZnO为基，在衬底的一面自下而上依次沉积有p-ZnO薄膜层，p-Zn1-xMgxO薄膜层、0＜X＜0.5，ZnO纳米线阵列层和第二电极，在衬底的另一面沉积有第一电极，其中的ZnO纳米线阵列层由垂直于衬底生长且彼此具有间隙的n-ZnO纳米线构成，在n-ZnO纳米线之间的间隙填充有有机光刻胶。本专利技术中，所说的n-ZnO纳米线的直径为10～200n本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＺｎＯ基纳米线发光二极管，其特征是以ＺｎＯ为基，在衬底（１）的一面自下而上依次沉积有ｐ－ＺｎＯ薄膜层（２），ｐ－Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ薄膜层（３）、０＜Ｘ＜０．５，ＺｎＯ纳米线阵列层（４）和第二电极（７），在衬底（１）的另一面沉积有第一电极（６），其中的ＺｎＯ纳米线阵列层（４）由垂直于衬底生长且彼此具有间隙的ｎ－ＺｎＯ纳米线构成，在ｎ－ＺｎＯ纳米线之间的间隙填充有有机光刻胶（５）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：叶志镇，曾昱嘉，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：86[中国|杭州]