具有集成吸收器的表面发射激光器制造技术

一种具有集成吸收器的表面发射激光器（ＳＥＬ）。下镜面和输出耦合器限定了ＳＥＬ的激光腔。放置在激光腔中的单片增益结构包括增益区和吸收器，其中吸收器的饱和通量小于增益区的饱和通量。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】背景专利
本专利技术的领域一般而言涉及激光器，更具体但不排他地涉及一种具有集成吸收器的表面发射激光器。背景信息半导体激光器具有包括通信系统和消费电子产品的多种应用。通常，半导体激光器可分为边缘发射激光器或表面发射激光器(SEL)。边缘发射激光器平行于半导体晶片表面发出辐射，而SEL垂直于半导体晶片表面发出辐射。半导体激光器的增益区可通过光泵浦或电泵浦来激发。SEL的两种常见类型是垂直腔表面发射激光器(VCSEL)和垂直外腔表面发射激光器(VECSEL)。参考附图说明图1A，示出了VCSEL 100。增益区106夹在镜面(mirror)104和镜面108之间。这种镜面包括分布布拉格反射器(DBR)镜面。镜面104和镜面108限定了激光腔112。激光输出110垂直于增益区106从镜面108发射。图1B示出VECSEL 150。镜面158安装在外部并且放置在增益区156上方。镜面154和158限定了激光腔162。镜面154包括DBR镜面。激光输出160从镜面158发射。锁模激光器被用于以皮秒或更小的时间尺度产生狭窄光脉冲。通常，锁模包括对准激光纵模的相位，从而导致在激光输出中短脉冲的周本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，包括：限定了激光腔的下镜面和输出耦合器；在位于激光腔中的单片增益结构中的增益区；以及在单片增益结构中与增益区集成的吸收器，其中吸收器的饱和通量小于增益区的饱和通量。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：I杨，U凯勒，H乌诺尔德，R帕肖塔，S索恩，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]