Ⅲ-氮化物基顶发射型光发射装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种氮化物基顶发射型光发射装置及其制造方法。该光发射装置包括ｎ－氮化物基包层、ｐ－氮化物基包层、氮化物基有源层、以及多ｐ－欧姆接触层。该多ｐ－欧姆接触层包括至少一对欧姆改性层－透明导电层。该欧姆改性层包括多晶氮化物层或非晶氮化物层，其使氮（Ｎ）与铝（Ａｌ）、铟（Ｉｎ）和镓（Ｇａ）中的至少一种化合。该欧姆改性层以微滴或薄膜的形式制备。孔或点形成在该多晶氮化物层或该非晶氮化物层上，从而提供该多ｐ－欧姆接触层以光子晶体效应。该光发射装置表现出良好的电流－电压特性和较高的透光率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种氮化物基顶发射型光发射装置和该装置的制造方法。更特别地，本专利技术涉及一种具有大面积和大容量的氮化物基顶发射型光发射装置及其制造方法，其中欧姆改性层(ohmic modification layer)置于p-氮化物包层(cladding layer)和透明导电层之间，从而改善该氮化物基顶发射型光发射装置的光电特性如外量子效率(EQE)。
技术介绍
III-氮化物基(III-nitride-based)的半导体用于光敏半导体领域的直接型(direct-type)半导体材料，其具有最宽带隙。这种III-氮化物基半导体被用于制造能够发光的高效光发射装置，其在介于黄色波段和紫外波段范围之间具有宽的波段。然而，虽然几年来在不同的工业领域作出了不同的努力以提供具有大面积、大容量和高亮度的光发射装置，然而，这种努力却由于以下与材料和技术有关的基本困难而最终失败。首先，提供一种适合于生长具有高质量的氮化物基半导体存在困难。第二，生长包括大量的铟(In)或铝(Al)的InGaN层和AlGaN层存在困难。第三，生长具有较高空穴载流子密度的p-氮化物基半导体存在困难。第四，形成高质量本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物基顶发射型光发射装置包括：ｎ－氮化物基包层；ｐ－氮化物基包层；置于该ｎ－氮化物基包层和该ｐ－氮化物基包层之间的氮化物基有源层；和层叠在该ｐ－氮化物基包层上的多ｐ－欧姆接触层，其中该多ｐ－欧姆接触层包 括至少一对欧姆改性层－电流扩布层，该欧姆改性层不是氮化物基外延层，而是使氮（Ｎ）与铝（Ａｌ）、铟（Ｉｎ）和镓（Ｇａ）中至少一种化合的多晶氮化物层或非晶氮化物层，并且当欧姆改性层经历退火工艺时该欧姆改性层具有新的相使得该欧姆改性层通过与层叠在该欧姆改性层上的该电流扩布层的化学反应容易地形成ｐ－欧姆接触。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：宋俊午，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]