发光装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种发光装置以及一种制造该发光装置的方法。所述发光装置包括发光层以及连接到发光层的第一电极和第二电极。所述发光层是应变后的纳米线。

【技术实现步骤摘要】

示例性实施例涉及一种半导体装置以及制造该半导体装置的方法。其它示例性实施例涉及一种使用纳米线(nanowire)作为发光层的发光装置以及制 造该发光装置的方法。—
技术介绍
通过使发光装置的半导体层中的电子和空穴相结合，产生从发光装置(例 如，发光二极管(LED)或激光二极管(LD))发射的光。从发光装置产生的光的 波长根据半导体层(即，发光层)的能量带隙的大小变化。发光装置的发光层通常由in-v族半导体化合物或n-vi族半导体化合物形成。所述半导体化合物可以是具有直接带隙的直接跃迁型半导体。在直接 跃迁型半导体中，受激发的电子发出主要为光子能的能量。因为半导体化合物的加工技术比硅(Si)的加工技术发展得慢，所以使用传统的ni-v族半导体化合物或n-vi族半导体化合物的发光装置的制造会变得困难。更具体地讲，难以实现半导体化合物和电极之间的欧姆接触。难以将 导电掺杂剂注入半导体化合物内。例如，GaN半导体化合物层与电极的欧姆 接触会变得困难。也难以实现将p型掺杂剂注入到ZnO层中。
技术实现思路
示例性实施例涉及一种半导体装置以及制造该半导体装置的方法。其它 示例性实施例涉及一种使用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，包括：　发光层；　第一电极和第二电极，分别连接到发光层，其中，发光层是应变后的纳米线。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：洪起夏，李晟熏，金钟燮，申在光，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]