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本发明涉及ＺｎＯ基纳米线发光二极管及其制备方法。ＺｎＯ基纳米线发光二极管是以ＺｎＯ为基，在衬底的一面自下而上依次沉积ｐ－ＺｎＯ薄膜层，ｐ－Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ薄膜层、０＜Ｘ＜０．５，ＺｎＯ纳米线阵列层和第二电极，在衬底的另一面沉积...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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