半导体激光元件制造技术

提供一种半导体发光元件，包括：形成于结晶衬底上的第１导电型的第１覆盖层；形成于第１覆盖层上的有源层；形成于有源层上、防止杂质扩散到有源层中的防扩散层；形成于防扩散层上、防止注入到有源层中的载流子的溢出的与第１导电型不同的第２导电型的防止溢出层；以及形成于防止溢出层上的第２导电型的第２覆盖层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体发光元件。
技术介绍
发光波长400nm频带的蓝紫色激光的半导体发光元件推进着对下一代DVD(digital versatile disk)等的开发。作为这种元件结构，例如，已知在GaN衬底上具有InGaAlN类材料构成的双重异质结，将上部覆盖层形成脊(ridge)形状的脊波导型半导体发光元件(例如，参照(日本)特开2000-299497号公报)。这种脊波导型半导体发光元件，在n型GaN衬底上形成Al0.05Ga0.95N构成的不掺杂的n型接触层。在该不掺杂的n型接触层上形成掺杂了Si的Al0.05Ga0.95N构成的n型接触层，在该n型接触层的一部分区域中设置n侧电极，在没有设置这种n侧电极的区域上，设置掺杂了Si由In0.08Ga0.92N构成的n型防裂层。在n型防裂层上，形成将不掺杂的Al0.14Ga0.86N构成的层和掺杂了Si的GaN构成的层交替160次叠层的多层膜(超晶格结构)构成的n型覆盖层。在该n型覆盖层上形成不掺杂的GaN构成的n型引导层。在n型引导层上，将掺杂了Si的In0.01Ga0.99N构成的阻挡层和不掺杂的In0.11Ga0.89N本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光元件，包括：形成于结晶衬底上的第１导电型的第１覆盖层；形成于所述第１覆盖层上的有源层；形成于所述有源层上、防止杂质扩散到所述有源层中的防扩散层；形成于所述防扩散层上、防止注入到所述有源层中的载流 子的溢出的与所述第１导电型不同的第２导电型的防止溢出层；以及形成于所述防止溢出层上的第２导电型的第２覆盖层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：田中明，小野村正明，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]