半导体发光元件及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体发光元件及其制作方法，本发明专利技术是在该第一电极与部分的反射层区域外镀上一阻隔壁，再以电镀方式在前述非阻隔壁的区域上形成一金属柱，利用一准分子激光均匀照射在蓝宝石基底上，促使其脱离该半导体缓冲层，以及以腐蚀法腐蚀该第一导电性外延层的表面，使其表面形成一粗糙面；通过该导热良好的金属柱使得封装后的半导体发光元件的导电电极具有良好的散热性，需大电流的高功率蓝色及绿色发光二极管将可使元件本身具有良好的散热性，同时，表面形成粗糙表面的第一导电性外延层的光的取出效率将会因全反射机率的降低而增加，从而使得半导体发光元件的亮度增加。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别涉及一种使元件本身具有良好的散热性及可增进亮度的制作方法与结构。
技术介绍
氮化铟镓(InGaN)系列材料，在紫外光波段与蓝绿光波段具有直接能隙(direct bandgap，Eg)，因此可以作为高效率的白光与可见光源。目前已商品化的产品有蓝、绿、紫外光与白光发光二极管，以及蓝紫光波段的激光二极管。但是，如何增进发光二极管元件的亮度，一直是此研发领域中一个极为重要的课题，原则上元件的亮度并不会随着电流的增加而无限增大，而是受限于元件饱和电流的因素。在影响亮度的诸多因素中，元件的尺寸与元件的散热性起着着关键的作用。若元件本身具有良好的散热性，不但使用寿命会增加，还可将其应用领域延伸至高电流需求的产品中。中国台湾专利公报公告号第567618号的“具有黏结反射层的发光二极管及其制法”中披露了一种具有黏结反射层的发光二极管及其制法。通过一透明黏结层将一发光二极管及一金属反射层黏结在一起，可用来提高发光二极管的亮度。另外，本申请人的中国台湾专利公报公告号第472400号的“将半导体元件表面粗化以提升外部量子效率的方法”中披露了一种表面经控制生长温度而粗化的化合物的半本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光元件的制作方法，是针对蓝宝石基底（１０）的发光元件，在其上生长具有Ｐ／Ｎ接面的发光二极管外延层，包括至少一第一导电性外延层（３０）、一发光的活性层（４０）、一第二导电性外延层（５０）、一欧姆接触层（６０），其制程为先形成一半导体缓冲层（２０），再形成前述必要的堆栈层，及一反射层（７０），和一第一电极（３１），位于前述堆栈结构的所述第一导电性外延层（３０）暴露出的部分；其特征在于，所述后续制程的方法为：在所述第一电极（３１）与部分的反射层（７０）区 域外，形成一阻隔壁（８０）层；以及以电镀方式在前述非阻隔壁（８０）的区域上形成一不低于所述阻隔壁（８０）...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈泽澎，谢素芬，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]