漏斗结构垂直外腔面发射激光器制造技术

公开了一种表面发射激光装置。第一衬底设置在第一电极层和第一反射层之间。有源区设置在第一反射层和第二反射层之间。电流阻挡层设置在有源区上以形成孔。第一半导体层可以设置在第二电极层和第二反射层之间。第二电极层可以具有基本与孔对准的开口。电流漏斗区可以位于形成在孔和第二电极开口之间的腔内。可以配置电流漏斗区以促进腔内的传导。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体激光器，更具体地涉及一种表面发射激光器和垂直外腔面发射激光器(vertical external cavity surface emitting laser，VECSEL)。
技术介绍
参考图1A，以截面图方式说明了一种传统的垂直腔面发射激光器(VCSEL)。如说明的，该VCSEL的各个层包括n-GaAs(砷化镓)衬底2、在n-DBR(分布式布喇格反射器)层4和p-DBR(分布式布喇格反射器)层8之间的有源层6、和顶导电层10。腔12垂直于上述层，其使得光束在垂直方向上发射。在所述结构中孔大约是20μm。然而，如重叠曲线14所说明，由于在有源层中的不均匀载流子分布(电流拥挤)，传统的VCSEL设计受基本横向作用方式的限制。例如，很难完成具有大于7-8μm的孔产生单模式信号的设计，这限制了传统VCSEL中的基本横向功率模式。图1B说明了在美国专利No.6,243,407中公开的洛瓦鲁可斯延伸腔表面发射激光器(Novalux Extended Cavity Surface Emitting Laser，NECSEL)的相关技术。NECSEL激光器的发射面积据说本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种表面发射激光装置，包括：　　　　设置在第一电极层和第一反射层之间的第一衬底；　　　　设置在所述第一反射层和第二反射层之间的有源区，其中电流阻挡层设置在所述有源区和第二电极层之间以形成孔；　　　　设置在所述第二电极层和所述第二反射层之间的第一半导体层，其中所述第二电极层具有基本与所述孔对准的开口；及　　　　在位于所述孔和所述第二电极的开口之间的腔中的电流漏斗区，其中配置电流漏斗区以促进腔内的传导。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：金泽，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]