半导体元件以及半导体元件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种技术，能够提高利用了氮化镓衬底（ＧａＮ衬底）的半导体元件的制造性，同时在ＧａＮ衬底上形成平坦性及结晶性优越的氮化物类半导体层。准备上表面（１０ａ）相对于（０００１）面在＜１－１００＞方向具有大于等于０．１°小于等于１．０°的偏移角度θ的氮化镓衬底（１０）。并且，在ＧａＮ衬底（１０）的上表面（１０ａ）上层叠含有ｎ型半导体层（１１）的多个氮化物类半导体层，从而形成半导体激光器等的半导体元件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种在氮化镓(GaN)衬底上具有氮化物类半导体层的半导体元件及其制造方法。
技术介绍
氮化镓等的氮化物类半导体作为发光元件和其他的电子器件而被利用或者研究，利用其特性，蓝色发光二极管和绿色发光二极管已经被实用化。另外，利用氮化物类半导体，正在开发作为下一代的高密度光盘光源的蓝紫色半导体激光器。以往，在制作利用了氮化物类半导体的发光元件时，作为衬底，主要使用蓝宝石衬底。可是，蓝宝石衬底和其上所形成的氮化物类半导体的晶格不匹配率约为13％非常大，在该氮化物类半导体中高密度地存在位错等的缺陷，难于得到优质的氮化物类半导体。另外，近年来，正在开发缺陷密度较少的氮化镓衬底(以后称为“GaN衬底”)，与GaN衬底的利用方法相关的研究开发盛行。提出有主要利用GaN衬底来作为半导体激光器用衬底。在使氮化物类半导体在GaN衬底上生长的情况下，当使氮化物类半导体在C面、即(0001)面上生长时，就产生不能得到良好的结晶性这样的问题。对于该问题，在专利文献1中，提出了如下技术通过使GaN衬底的上表面相对于C面倾斜大于等于0.03°小于等于10°，就可以提高形成于该GaN衬底上的氮化物类半本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体元件，其具有：氮化镓衬底；以及在上述氮化镓衬底的上表面上形成的氮化物类半导体层，上述氮化镓衬底的上述上表面相对于（０００１）面在＜１－１００＞方向具有大于等于０．１°小于等于１．０°的偏移角度。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：大野彰仁，竹见政义，富田信之，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]