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本发明提供一种技术，能够提高利用了氮化镓衬底（ＧａＮ衬底）的半导体元件的制造性，同时在ＧａＮ衬底上形成平坦性及结晶性优越的氮化物类半导体层。准备上表面（１０ａ）相对于（０００１）面在＜１－１００＞方向具有大于等于０．１°小于等于１．０°的偏...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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