【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及氮化物系半导体元件及其制造方法，尤其是涉及带电极的氮化物系半导体及其制造方法。近年来，人们对利用氮化物系半导体激光元件作为下一代大容量光盘光源寄予希望，开发工作很活跃。通常，用绝缘性蓝宝石基板制造氮化物系半导体激光元件。但是，在蓝宝石基板上形成氮化物系半导体层时，由于蓝宝石基板和氮化物半导体层之间的晶格常数相差较大，所以在氮化物系半导体层内，会产生起因于晶格常数之差的大量晶体缺陷(位移)这一不良现象。其结果，导致氮化物系半导体激光元件的特性下降。因此，有一种方案是，采用与氮化物系半导体层的晶格常数差异小的GaN基板等氮化物系半导体基板。图7是用n型GaN基板形成的以往的氮化物系半导体激光元件的截面图。参照图7，在以往的氮化物系半导体激光元件的制造工艺中，为了提高在n型GaN基板101上成长的氮化物系半导体层(102～110)的结晶性，氮化物半导体层(102～110)在具有纤锌矿结构的n型GaN基板1的Ga面〔(HKLM)面M是正整数〕上成长。另外，在具有纤锌矿结构的n型GaN基板101的氮面((HKL-M)面M是正整数)用作背面的同时，在该n型...
【技术保护点】
一种氮化物系半导体元件，它具有由纤锌矿结构的ｎ型氮化物系半导体层和氮化物系半导体基板中的任一个构成的第１半导体层和在该第１半导体层的背面上形成的ｎ侧电极，所述ｎ侧电极与第１半导体层之间的接触电阻在０．０５Ωｃｍ↑［２］以下。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：户田忠夫，山口勤，畑雅幸，野村康彦，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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